WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1990003660) LOW STRESS POLYSILICON MICROSTRUCTURES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1990/003660    International Application No.:    PCT/EP1989/001083
Publication Date: 05.04.1990 International Filing Date: 18.09.1989
Chapter 2 Demand Filed:    27.04.1990    
IPC:
G01F 1/684 (2006.01), G01L 9/00 (2006.01), H01L 21/3205 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-80333 München (DE)
Inventors: WILCOXEN, Duane, T.; (US)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, D-8000 München 22 (DE)
Priority Data:
250,055 28.09.1988 US
Title (EN) LOW STRESS POLYSILICON MICROSTRUCTURES
(FR) MICROSTRUCTURES EN POLYSILICIUM A FAIBLES CONTRAINTES
Abstract: front page image
(EN)Method for relieving stress in silicon microstructures by forming a silicide on the microstructures. Sensors comprising a stress-relieved silicon microstructure are also described.
(FR)Le procédé décrit sert à la relaxation des contraintes dans des microstructures en silicium par production d'un siliciure sur les microstructures. Des capteurs comprenant des microstructures en silicium avec relaxation des contraintes sont également décrits.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)