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1. (WO1990003033) EPROM MEMORY WITH INTERNAL SIGNATURE CONCERNING, IN PARTICULAR, THE PROGRAMMING MODE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1990/003033    International Application No.:    PCT/FR1989/000466
Publication Date: 22.03.1990 International Filing Date: 14.09.1989
Chapter 2 Demand Filed:    10.03.1990    
IPC:
G07F 7/10 (2006.01), G11C 5/00 (2006.01), G11C 16/20 (2006.01)
Applicants: SGS THOMSON MICROELECTRONICS S.A. [FR/FR]; 7, avenue Galliéni, F-94250 Gentilly (FR) (For All Designated States Except US).
GAULTIER, Jean-Marie [FR/FR]; (FR) (For US Only).
CONAN, Bertrand [FR/FR]; (FR) (For US Only).
FARRUGIA, Augustin [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Inventors: GAULTIER, Jean-Marie; (FR).
CONAN, Bertrand; (FR).
FARRUGIA, Augustin; (FR)
Agent: SCHMIT, Christian; Cabinet Ballot-Schmit, 7, rue Le Sueur, F-75116 Paris (FR)
Priority Data:
88/11997 14.09.1988 FR
Title (EN) EPROM MEMORY WITH INTERNAL SIGNATURE CONCERNING, IN PARTICULAR, THE PROGRAMMING MODE
(FR) MEMOIRE EPROM AVEC SIGNATURE INTERNE CONCERNANT NOTAMMENT LE MODE DE PROGRAMMATION
Abstract: front page image
(EN)Electrically programmable memories, in particular EPROMs, generally have an internal signature which can be read by the memory-programming device. This internal signature indicates the origin of the part (manufacturer's identification) and the appropriate programming mode for the part (fast programming, 'intelligent' programming, etc.). Here, it is proposed that this information be recorded in a UPROM (unerasable programmable read-only) memory, i.e., in practice an EPROM memory masked by a layer of aluminium which prevents its erasure by ultraviolet rays.
(FR)L'invention concerne les mémoires électriquement programmables, notamment les EPROMs. Ces mémoires comportent généralement une signature interne qui peut être lue par l'appareil de programmation de la mémoire; cette signature interne indique quelle est l'origine de la pièce (identification du fabricant) et quel est le mode de programmation adapté à cette pièce (programmation rapide, programmation 'intelligente', etc.). On propose ici d'inscrire cette information dans une mémoire de type UPROM (de l'anglais 'unerasable programmable read-only memory'), c'est-à-dire en pratique une mémoire EPROM masquée par une couche d'aluminium qui interdit son effacement par ultraviolets.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)