WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1990001986) DIAMOND COMPACT POSSESSING LOW ELECTRICAL RESISTIVITY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1990/001986    International Application No.:    PCT/AU1989/000273
Publication Date: 08.03.1990 International Filing Date: 27.06.1989
IPC:
B01J 3/06 (2006.01), B24D 3/34 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01), E21B 10/56 (2006.01)
Applicants: THE AUSTRALIAN NATIONAL UNIVERSITY [AU/AU]; Acton, ACT 2601 (AU) (For All Designated States Except US).
RINGWOOD, Alfred, Edward [AU/AU]; (AU) (For US Only)
Inventors: RINGWOOD, Alfred, Edward; (AU)
Agent: GRIFFITH HACK & CO.; 2nd Floor, 601 St. Kilda Road, Melbourne, VIC 3004 (AU)
Priority Data:
PI 9885 17.08.1988 AU
Title (EN) DIAMOND COMPACT POSSESSING LOW ELECTRICAL RESISTIVITY
(FR) AGGLOMERE COMPACT DIAMANTE PRESENTANT UNE FAIBLE RESISTIVITE ELECTRIQUE
Abstract: front page image
(EN)A diamond compact comprised of more than 60 volume percent and less than 90 volume percent of diamond crystals connected by a silicon carbide bond. The bond contains more than 500 parts per million of nitrogen and/or phosphorus and the compact possesses a low electrical resistivity of less than 0.2 ohm cm. The compact may be produced by a process in which the diamond crystals are intimately mixed with a bonding agent comprising silicon and the mixture is subjected within a confining space to a high temperature and pressure within the graphite stability field to cause silicon in the bonding agent to react extensively with carbon in the diamond crystals to form the silicon carbide bond. To produce the low electrical resistivity, a material containing nitrogen and/or phosphorus is introduced into the confining space prior to application of the high temperature and pressure conditions. In a modified process, the mixed diamond crystals and bonding agent are placed immediately adjacent to one or more bodies of silicon within the confining space prior to application of the high pressure and temperature conditions. In this process, the nitrogen and/or phosphorus containing material may be mixed with the diamond crystals and bonding agent and/or with one of the additional bodies of silicon prior to application of the high temperature and pressure conditions.
(FR)L'aggloméré compact diamanté décrit contient plus de 60 % en volume et moins de 90 % en volume de cristaux de diamants reliés par un liant à base de carbure de silicium. Le liant contient plus de 500 parties par million d'azote et/ou de phosphore et l'aggloméré compact se caractérise par une faible résistivité électrique d'une valeur inférieure à 0,2 ohm cm. L'aggloméré compact est produit par un procédé qui consiste à mélanger intimement les cristaux de diamants avec un agent de liaison contenant du silicium et à soumettre le mélange à l'intérieur d'un espace de confinement à des conditions de pression et de température élevées dans le champ de stabilité du graphite, de façon à permettre au silicium contenu dans l'agent de liaison de réagir de façon extensive avec le carbone contenu dans les cristaux de diamants pour former le liant à base de carbure de silicium. Pour obtenir la faible résistivité électrique, on introduit un matériau contenant de l'azote et/ou du phosphore dans l'espace de confinement avant l'application des conditions de pression et de température élevées. Dans un procédé modifié, les cristaux de diamant et l'agent de liaison mélangés sont placés à proximité immédiate d'un ou de plusieurs corps de silicium à l'intérieur de l'espace de confinement avant l'application des conditions de pression et de température élevées. Dans ce procédé, le matériau contenant de l'azote et/ou du phosphore peut être mélangé avec les cristaux de diamant et avec l'agent de liaison et/ou avec un des corps additionnels de silicium avant l'application des conditions de pression et de température élevées.
Designated States: AU, DK, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)