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1. (WO1990001365) TWO-STEP OXIDIZING GAS WASHING SYSTEM FOR COVALENT HYDRIDS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1990/001365    International Application No.:    PCT/DE1989/000529
Publication Date: 22.02.1990 International Filing Date: 10.08.1989
IPC:
B01D 53/46 (2006.01)
Applicants: FABIAN, Werner [DE/DE]; (DE)
Inventors: FABIAN, Werner; (DE)
Priority Data:
P 38 27 996.7 15.08.1988 DE
Title (DE) ZWEISTUFIGES OXYDIERENDES GASWASCHSYSTEM FÜR KOVALENTE HYDRIDE
(EN) TWO-STEP OXIDIZING GAS WASHING SYSTEM FOR COVALENT HYDRIDS
(FR) SYSTEME DE LAVAGE DE GAZ PAR OXYDATION EN DEUX ETAPES POUR HYDRIDES COVALENTS
Abstract: front page image
(DE)Bei chemischen Prozessen, insbesondere bei der Herstellung von Bauelementen in der Halbleitertechnologie, basierend auf den Materialsystemen der III-V- und II-VI-Verbindungshalbleiter werden die höchst toxischen Prozeßgase Arsin, Phosphin und Schwefelwasserstoff als Ausgangsprodukte eingesetzt. Diese Gase, allgemein als kovalente Hydride der Pniktide (Pnik. = N, P, As, Sb und Bi) bzw. Chalkogenide (Chal. = O, S, Se, Te und Po) bezeichnet, lassen sich mit dem vorliegenden Verfahren quantitativ und aus reaktions-kinetischer Sicht äußerst rasch aus den verbleibenden Prozeßabgasen entfernen. Die Schadstoffe werden hierbei mittels Periodsäure als Oxidationsmittel in ihre korrespondierenden Oxosäuren überführt. Das Verfahren kann auch bei der Produktion von Bauelementen, basierend in den Materialsystemen der Elementhalbleiter Silizium und Germanium angewandt werden, wo die genannten Gase als Dotierstoffe Verwendung finden. Das sich bei der Entsorgung bildende Iod wird in einer zweiten Gaswaschstufe mittels einer Komproportionierungs-Reaktion mit Lithiumhydroxid in schwerflüchtiges Iodid und Iodat überführt. Lithiumiodat besitzt von allen Iodatsalzen die größte Wasserlöslichkeit und vermeidet somit eine Berstgefahr der eingesetzten Absorbereinheiten.
(EN)In chemical processes, in particular the production of elements for the semiconductor technology, which are based on the material systems of the III-V and II-VI combination semiconductors, arsine, phosphine and hydrosulphide, highly toxic processing gases, are used as basic material. Said gases, which are generally designated as covalent hydrids of the pnictides (= N, P, As, Sb and Bi) or chalcogenides (= O, S, Se, Te and Po), can be very rapidly, from a quantitative and kinetic reaction point of view, removed from the residual processing refuse gases by the present process. The harmful substances are converted into their corresponding oxyacids using periodic acid as an oxidizing substance. Said process can also be applied to the production of elements based on the material systems of the elemental semiconductors silicon and germanium, where said gases are used as doping agents. The iodine generated during purification is converted to not easily volatilized iodide and iodate in a second gas washing stage by means of a comproportionation reaction with lithium hydroxide. Lithium iodate being the most water soluble of all the iodate salts, the absorber units inserted are not subject to bursting.
(FR)On utilise en tant que matières premières pour des processus chimiques, en particulier la production d'éléments pour la technologie des semiconducteurs, basés sur les systèmes de matériaux utilisés pour les semiconducteurs combinés des groupes III-V et II-VI, l'arsine, la phosphine et l'acide sulphydrique, des gaz de traitement à forte toxicité. Lesdits gaz, qui sont généralement désignés sous le nom d'hydrides covalents des pnictides (= N, P, As, Sb et Bi) ou chalcogénides (= O, S, Se, Te et Po), peuvent être extraits très rapidement, du point de vue quantitatif et pour ce qui est du comportement cinétique à la réaction, des gaz de traitement résiduels. Les substances nuisibles sont transformées en leurs oxacides correspondants, l'acide periodique servant d'agent d'oxydation. Ledit procédé peut également être appliqué à la production d'éléments basés sur les systèmes de matériaux utilisés pour les semiconducteurs élémentaires silicium et germanium, où lesdits gaz servent de substance de dopage. Dans une seconde étape de lavage des gaz, l'iode qui se forme lors de la purification est transformé en iodure et en iodate peu volatils au moyen d'une réaction de comproportionnement à l'aide d'hyroxyde de lithium. L'iodate de lithium est le plus soluble dans l'eau des sels d'iode; les unités d'absorbeur ne risquent donc pas d'éclater.
Designated States: US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)