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1. (WO1989009489) ETCHING METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1989/009489    International Application No.:    PCT/GB1989/000213
Publication Date: 05.10.1989 International Filing Date: 01.03.1989
Chapter 2 Demand Filed:    22.11.1989    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/308 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Applicants: BRITISH TELECOMMUNICATIONS PUBLIC LIMITED COMPANY [GB/GB]; 81 Newgate Street, London EC1A 7AJ (GB)
Inventors: DUROSE, Kenneth; (GB)
Agent: LENG, Francis, Edward; British Telecommunications Public Limited Company, Intellectual Property Unit, 151 Gower Street, London WC1E 6BA (GB)
Priority Data:
8806800 22.03.1988 GB
Title (EN) ETCHING METHOD
(FR) PROCEDE DE GRAVURE
Abstract: front page image
(EN)MOVPE growth and photoetching are integrated into a unified sequence which is carried out without removing a workpiece from a MOVPE reactor. Growth may be carried out before, after or before and after the etching. To prevent pattern broadening by diffusion of the active species the substrate is preferably protected by a fugitive coating which is removed by the illumination. Native oxide coatings are particularly suitable for InGaAsP substrates. These are conveniently applied by exposing the substrate to 20 % O¿2? + 80 % N¿2? for about 3 minutes at 450°C.
(FR)Les étapes de croissance MOVPE et de photogravure sont intégrées dans une séquence d'opérations unifiées qui sont effectuées sans qu'il soit nécessaire de retirer la pièce à usiner d'un réacteur MOVPE. L'opération de croissance peut être effectuée avant, après ou avant et après la gravure. Pour empêcher tout élargissement des motifs par diffusion des espèces actives, on protège de préférence le substrat par un enduit fugitif qui est retiré par exposition au rayonnement lumineux. Des enduits d'oxyde natif sont particulièrement appropriés pour des substrats d'InGaAsP et sont de préférence appliqués par exposition des substrats à 20 % d'O¿2? et 80 % de N¿2? pendant environ 3 minutes à une température de 450°C.
Designated States: AU, JP, KR.
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)