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1. (WO1989009425) ELECTRO-OPTIC QUANTUM WELL DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1989/009425    International Application No.:    PCT/US1989/001196
Publication Date: 05.10.1989 International Filing Date: 23.03.1989
Chapter 2 Demand Filed:    06.11.1989    
IPC:
G02F 1/017 (2006.01)
Applicants: MARTIN MARIETTA CORPORATION [US/US]; 6801 Rockledge Drive, Bethesda, MD 20817 (US)
Inventors: LITTLE, John, William, Jr.; (US).
LEAVITT, Richard, Paul; (US)
Agent: CHIN, Gay; Martin Marietta Corporation, 6801 Rockledge Drive, Bethesda, MD 20817 @ (US)
Priority Data:
172,518 24.03.1988 US
Title (EN) ELECTRO-OPTIC QUANTUM WELL DEVICE
(FR) DISPOSITIF A VALLEE QUANTIQUE ELECTRO-OPTIQUE
Abstract: front page image
(EN)A quantum well semiconductor device that is responsive to optical energy and operates by resonant field ionization of quantum confined excitons and comprises a semiconductor device including a multi-layered semiconductor structure fabricated on the substrate and including at least two quantum well layers of mutually different widths separated from each other by a semiconductor barrier layer. Because of the different widths, the two quantum well layers have distinct and different electron and hole sub-band energies which when an external electric field is applied across the semiconductor structure, it is possible to bring the electron sub-bands of the wells into resonance, whereupon electrons tunnel back and forth through the barrier layer thereby altering the light absorption coefficient near the excitonic absorption feature. This mechanism provides a means to phase shift or modulate the light traversing through the device.
(FR)Un dispositif semi-conducteur à vallée quantique réagit à l'énergie optique et fonctionne par ionisation par champ résonnant d'excitons confinés par quantum, et comprend un dispositif semi-conducteur comportant une structure semi-conductrice multicouche fabriquée sur le substrat ainsi qu'au moins deux couches à vallée quantique de largeurs mutuellement différentes et séparées les unes des autres par une couche barrière semi-conductrice. Du fait des largeurs différentes, les deux couches à vallée quantique ont des énergies de sous-bande d'électrons et de trous distinctes et différentes permettant, lorsque l'on applique un champ électrique externe dans la structure semi-conductrice, d'amener en résonnance les sous-bandes d'électrons de ladite vallée, après quoi les électrons se déplacent par effet tunnel en avant et en arrière à travers ladite couche de barrière, modifiant ainsi le coefficient d'absorption de lumière proche de la caractéristique d'absorption excitonique. Ce mécanisme permet de déphaser ou de moduler la lumière traversant ledit dispositif.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)