WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1989004594) OMCVD OF III-V MATERIAL ON SILICON
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1989/004594    International Application No.:    PCT/US1988/004011
Publication Date: 18.05.1989 International Filing Date: 09.11.1988
Chapter 2 Demand Filed:    11.07.1989    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01)
Applicants: KOPIN CORPORATION [US/US]; 695 Myles Standish Boulevard, Taunton, MA 02780 (US)
Inventors: SALERNO, Jack, P.; (US).
LEE, Jhang, Woo; (US).
McCULLOUGH, Richard, E.; (US)
Agent: REYNOLDS, Leo, R. @; Hamilton, Brook, Smith & Reynolds, Two Militia Drive, Lexington, MA 02173 (US)
Priority Data:
120,018 13.11.1987 US
Title (EN) OMCVD OF III-V MATERIAL ON SILICON
(FR) DEPOSITION EN PHASE GAZEUSE PAR PROCEDE CHIMIQUE ORGANOMETALLIQUE DE MATERIAUX III-V SUR DU SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)A method of OMCVD heteroepitaxy of III/V (GaAs) material on a patterned Si substrate is described wherein heteroepitaxy deposition occurs only on the exposed Si surfaces and nowhere else.
(FR)L'invention concerne un procédé d'hétéroépitaxy par déposition en phase gazeuse par procédé chimique organométallique de matériaux III/V (GaAs) sur un substrat de silicium avec motif, la déposition hétéroépitaxiale s'effectuant uniquement sur les surfaces de silicium exposées et nulle part ailleurs.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)