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1. (WO1989004558) LASER ARRANGEMENT WITH AT LEAST ONE LASER RESONATOR COUPLED WITH A PASSIVE RESONATOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1989/004558    International Application No.:    PCT/DE1988/000655
Publication Date: 18.05.1989 International Filing Date: 25.10.1988
Chapter 2 Demand Filed:    04.07.1989    
IPC:
H01S 5/14 (2006.01), H01S 5/18 (2006.01), H01S 5/40 (2006.01), H01S 5/42 (2006.01)
Applicants: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, D-8000 München 2 (DE) (For All Designated States Except US).
KAPPELER, Franz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WOLF, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Inventors: KAPPELER, Franz; (DE).
WOLF, Thomas; (DE)
Common
Representative:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, D-8000 München 22 (DE)
Priority Data:
P 37 38 053.2 09.11.1987 DE
Title (EN) LASER ARRANGEMENT WITH AT LEAST ONE LASER RESONATOR COUPLED WITH A PASSIVE RESONATOR
(FR) AGENCEMENT LASER AVEC AU MOINS UN RESONATEUR LASER COUPLE A UN RESONATEUR PASSIF
Abstract: front page image
(EN)A laser resonator (11) and a passive resonator (7, 22) are coupled longitudinally in such a way as to prevent multiple reflections in the laser (11). The passive resonator (7, 22) is, for example, monolithically integrated in laser (11). In a semiconductor wafer (5), a laser-active layer (1) and a waveguide layer (2) transparent to the laser beam are arranged at such a distance apart that no optical coupling occurs through the intermediate semiconductor material. The semiconductor wafer (5) has a cavity (7) perpendicular to the direction of layering and perpendicular to the propagation of the light, with a vertical flank (71) which forms a common reflecting surface of the laser (11) and the passive resonator (7, 22) and an inclined flank (72) which reflects the light not coupled to the waveguide layer (22) forming part of the resonator out of the wafer (5).
(FR)Un résonateur laser (11) et un résonateur passif (7, 22) sont longitudinalement couplés de façon à prévenir des réflexions multiples à l'intérieur du laser (11). Le résonateur passif (7, 22) est par exemple monolithiquement intégré dans le laser (11). Dans la structure stratifiée (5) de couches semi-conductrices, une couche laser active (1) et une couche guide d'ondes (2) transparentes au rayonnement laser sont agencées avec un tel écart entre les deux qu'aucun couplage optique ne se produit à travers le matériau semi-conducteur situé entre les deux. La structure stratifiée (5) de couches semi-conductrices présente une cavité (7) perpendiculaire au sens de stratification et au sens de propagation de la lumière qui comprend un flanc vertical (71) qui forme une surface de réflexion commune du laser (11) et du résonateur passif (7, 22), et un flanc incliné (72) qui réfléchit hors de la structure stratifiée (5) la lumière non couplée à la couche guide d'ondes (22) faisant partie du résonateur.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)