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1. (WO1989004553) SEMICONDUCTOR DEVICES WITH PROGRAMMABLE PASSIVE-COMPONENT LAYER AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1989/004553    International Application No.:    PCT/GB1988/000995
Publication Date: 18.05.1989 International Filing Date: 11.11.1988
IPC:
H01L 21/70 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01), H01L 23/525 (2006.01), H01L 27/118 (2006.01)
Applicants: LSI LOGIC EUROPE PLC [GB/GB]; Grenville Place, The Ring, Bracknell, Berkshire RG12 1BP (GB) (For All Designated States Except US).
BLOMLEY, Peter, Fred [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: BLOMLEY, Peter, Fred; (GB)
Agent: THOMSON, Roger, Bruce; Pollak Mercer & Tench, High Holborn House, 52/54 High Holborn, London WC1V 6RY (GB)
Priority Data:
8726366 11.11.1987 GB
Title (EN) SEMICONDUCTOR DEVICES WITH PROGRAMMABLE PASSIVE-COMPONENT LAYER AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS AVEC COUCHE PROGRAMMABLE AU MOYEN DE COMPOSANTS PASSIFS ET PROCEDE DE PRODUCTION DE TELS DISPOSITIFS
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor wafer or IC array, either analogue or analogue/digital, includes a layer of material which has a substantially linear resistance characteristic and which can be programmed with passive components, i.e. resistors (R) and capacitors (C). The material is preferably polysilicon or chrome disilicide. The passive components (R, C) are configured within the area (10) surrounding active devices (B, P, N) such as CMOS devices and bipolar devices. The process for producing the desired configuration of passive components may include etching of the layer of material.
(FR)Un réseau de circuits intégrés ou une tranche de semi-conducteurs, de type analogiques ou analogiques et numériques, comprennent une couche de matériau qui présente une caractéristique de résistance sensiblement linéaire et qui peut être programmée avec des composants passifs, c'est-à-dire des résistances (R) et des condensateurs (C). Le matériau est de préférence à base de polysilicium ou de disiliciure de chrome. Les composants passifs (R, C) sont disposés dans la zone (10) qui entoure les dispositifs actifs (B, P, N), qui sont constitués par exemple par des dispositifs MOS complémentaires et par des dispositifs bipolaires. Le procédé servant à obtenir la disposition désirée des composants passifs peut comporter l'attaque de la couche de matériau.
Designated States: AU, GB, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)