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1. (WO1989004217) ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMA SOURCE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1989/004217    International Application No.:    PCT/US1988/002823
Publication Date: 18.05.1989 International Filing Date: 17.08.1988
IPC:
H01J 27/18 (2006.01), H01J 37/08 (2006.01)
Applicants: VEECO INSTRUMENTS, INC. [US/US]; 515 Broad Hollow Road, Melville, NY 11747 (US)
Inventors: GHANBARI, Ebrahim; (US)
Agent: KODA, Steven, P.; Morgan & Finnegan, 345 Park Avenue, New York, NY 10154 (US)
Priority Data:
115,433 30.10.1987 US
Title (EN) ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE PLASMA SOURCE
(FR) SOURCE DE PLASMA A RESONNANCE DE CYCLOTRON D'ELECTRONS
Abstract: front page image
(EN)An electron cyclotron resonance (ECR) plasma source (10) for generating a plasma (P) for etching, deposition, predeposition and material property modification processes. The plasma source (10) includes two magnetic field sources (18, 20a, 20i). The first magnetic field source (18) provides a magnetic field of sufficient intensity to achieve an ECR condition for a given microwave frequency input beam (m). The second magnetic field source (20a, 20i) enhances the uniformity of the plasma formed and output, and also reduces the magnetic field so that the plasma near the extraction system (22) and the output extracted are less magnetized. The ECR plasma source also includes a window apparatus (16) which electrically isolates the plasma generating chamber (14) which is at a high potential from the microwave source (12) near ground potential. The window apparatus is cooled and also serves as a pressure isolator between the plasma generating chamber which is at vacuum pressure and the microwave source which is at atmospheric pressure.
(FR)Source de plasma (10) à résonance de cyclotron d'électrons (ECR), permettant de produire un plasma (P) destiné à des procédés de gravure, de dépôt, de prédépôt et de modification des propriétés de matériaux. La source de plasma (10) comprend deux sources de champ magnétique (18, 20a, 20i). La première source de champ magnétique (18) crée un champ magnétique d'intensité suffisante pour obtenir une condition ECR pour un faisceau d'entrée (m) de fréquence à micro-ondes. La seconde source de champ magnétique (20a, 20i) augmente l'uniformité du plasma formé et produit, et réduit également le champ magnétique de sorte que le plasma proche du système d'extraction (22) et la sortie extraite soient moins magnétisés. La source de plasma ECR comprend également un appareil à fenêtre (16) isolant électriquement la chambre de procuction de plasma (14) se trouvant à un potentiel élevé de la source de micro-ondes (12) proche du potentiel à la terre. L'appareil à fenêtre est refroidi et sert également d'isolateur de pression entre la chambre de production de plasma se trouvant à une pression de vide, et la source de micro-ondes se trouvant à la pression atmosphérique.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)