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1. (WO1987006275) METHOD FOR DEPOSITING MATERIALS CONTAINING TELLURIUM
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1987/006275    International Application No.:    PCT/US1987/000357
Publication Date: 22.10.1987 International Filing Date: 24.02.1987
IPC:
C23C 16/30 (2006.01), C30B 25/02 (2006.01), H01L 21/365 (2006.01)
Applicants: HUGHES AIRCRAFT COMPANY [US/US]; 7200 Hughes Terrace, Los Angeles, CA 90045-0066 (US)
Inventors: LICHTMANN, Lawrence, S.; (US).
PARSONS, James, D.; (US)
Agent: DENSON-LOW, Wanda, K. @; Hughes Aircraft Company, Post Office Box 45066, Bldg. C1, M.S. A126, Los Angeles, CA 90045-0066 (US)
Priority Data:
851,004 11.04.1986 US
Title (EN) METHOD FOR DEPOSITING MATERIALS CONTAINING TELLURIUM
(FR) PROCEDE POUR DEPOSER DES MATERIAUX CONTENANT DU TELLURE
Abstract: front page image
(EN)A method for chemical vapor deposition of materials containing tellurium, such as cadmium telluride and mercury cadmium telluride, wherein the reactant source of the tellurium is a tellurophene or methyltellurol. These reactant sources have high vapor pressures, and the reactant source vapors emitted from the reactant sources have decomposition temperatures of less than about 300°C, so that deposition may be accomplished at low temperatures of about 250°C. The reactant source vapor containing tellurium is mixed with a reactant source vapor containing another substance to be codeposited, such as dimethylcadmium or dimethylmercury, and contacted with a substrate maintained at the deposition temperature, the deposition being preferably accomplished in an inverted vertical chemical vapor deposition reactor (10).
(FR)Procédé de dépôt en phase gazeuse par procédé chimique de matériaux contenant du tellure, tel que du tellurure de cadmium et du tellurure de cadmium mercure, dans lequel la source réactive du tellure est un tellurofène ou un méthyltellurole. Ces sources réactives présentent des pressions de vapeur élevées, et les vapeurs émises par les sources réactives présentent des températures de décomposition inférieures à environ 300°C, de sorte que le dépôt peut être effectué à des basses températures de l'ordre de 250°C. La vapeur de source réactive contenant du tellure est mélangée avec une vapeur de source réactive contenant une autre substance devant être déposée en même temps, telle que du diméthylcadmium ou du diméthylmercure, puis mise en contact avec un substrat maintenu à la température de dépôt, le dépôt s'effectuant de préférence dans un réacteur vertical inversé (10) de dépôt en phase gazeuse par procédé chimique.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)