WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1986006548) SEALED CAVITY SEMICONDUCTOR PRESSURE TRANSDUCERS AND METHOD
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1986/006548    International Application No.:    PCT/US1986/000860
Publication Date: 06.11.1986 International Filing Date: 24.04.1986
IPC:
G01L 9/00 (2006.01)
Applicants: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION [US/US]; P.O. Box 7365, Madison, WI 53707 (US)
Inventors: GUCKEL, Henry; (US).
BURNS, David, W.; (US)
Agent: ENGSTROM, Harry, C.; Isaksen, Lathrop, Esch, Hart & Clark, 122 West Washington Avenue, P.O. Box 1507, Madison, WI 53701 (US)
Priority Data:
727,909 26.04.1985 US
Title (EN) SEALED CAVITY SEMICONDUCTOR PRESSURE TRANSDUCERS AND METHOD
(FR) PROCEDE ET TRANSDUCTEURS A SEMI-CONDUCTEURS DE PRESSION A CAVITES SCELLEES
Abstract: front page image
(EN)Sealed cavity structures used as pressure transducers are formed on a surface of a semiconductor substrate (20) by, for example, depositing polycrystalline silicon layer (32) from silane gas over relatively large silicon dioxide post (22) and smaller silicon dioxide ridges (27) leading outwardly from post. The polysilicon layer is masked and etched to expose outer edges of ridges and the entire structure is then immersed in etchant which etches out ridges and post but not substrate (20) or deposited polysilicon layer (32). A cavity structure results in which channels (35) are left in place of the ridges and extend from communication with the atmosphere to the cavity (36) left in place of the post. The cavity (36) may be sealed off by deposition of material, which fills up and seals off the channels (35), or by exposing the substrate and structure thereon to oxidizing ambient which results in silicon dioxide growth in the channels sufficient to seal them.
(FR)On forme des structures à cavités scellées, utilisées comme transducteurs de pression, sur la surface d'un substrat à semiconducteurs (20) en déposant, par exemple, une couche (32) de silicium polycristallin à partir de silane gazeux sur une protubérance (22) relativement grande en dioxyde de silicium et sur des arêtes (27) plus petites en dioxyde de silicium partant de la protubérance. La couche de polysilicium est masquée et gravée pour exposer les bords extérieurs des arêtes, la structure entière étant ensuite immergée dans un décapant qui corrode les arêtes et la protubérance mais non le substrat (20) ou la couche déposée de polysilicium (32). Il en résulte une structure à cavités avec des canaux (35) à la place des arêtes s'étendant depuis l'atmosphère environnante jusqu'à la cavité (36) formée à l'endroit où se trouvait la protubérance. La cavité (36) peut être scellée en déposant des matériaux qui remplissent et scellent les canaux (35), ou en exposant le susbtrat et la structure surjacente à un environnement oxydant, ce qui provoque la formation de dioxyde de silicium dans les canaux en quantité suffisante pour les sceller.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, IT, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)