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1. (WO1985003813) HIGH FREQUENCY NOISE ABSORBING CIRCUIT
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1985/003813    International Application No.:    PCT/JP1985/000065
Publication Date: 29.08.1985 International Filing Date: 16.02.1985
IPC:
H02M 1/14 (2006.01), H02M 1/15 (2006.01), H02M 5/458 (2006.01)
Applicants: FANUC LTD [JP/JP]; 3580, Shibokusa Aza-Komanba, Oshino-mura, Minamitsuru-gun, Yamanashi 401-05 (JP) (For All Designated States Except US).
FUJIOKA, Yoshiki [JP/JP]; (JP) (For US Only).
SHINOHARA, Tatsuo [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: FUJIOKA, Yoshiki; (JP).
SHINOHARA, Tatsuo; (JP)
Agent: TSUJI, Minoru; Tsuji Patent Office, Daiichi Mansui Bldg., 14, Kandaogawacho 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 101 (JP)
Priority Data:
59/027926 16.02.1984 JP
59/027927 16.02.1984 JP
Title (EN) HIGH FREQUENCY NOISE ABSORBING CIRCUIT
(FR) CIRCUIT D'ABSORPTION DE BRUIT A HAUTE FREQUENCE
Abstract: front page image
(EN)A high frequency noise absorbing circuit in a control circuit of a load device having a power source (I), a converter circuit (II), a DC link unit (III), and an inverter circuit (4), which absorbing circuit comprises capacitors (C1, C3, C5) connected between the positive and negative terminals of the DC link (III) and a ground. The absorbing circuit has a zero-phase reactor (L1) arranged in the power source (I). Further, the absorbing circuit has a capacitor (C5) arranged between the zero-phase reactor (L1) and the power source (I).
(FR)Circuit d'absorption de bruit à haute fréquence dans un circuit de commande d'un dispositif de charge possédant une force de puissance (I), un circuit convertisseur (II), une unité de liaison à courant continu (III) et un circuit inverseur (IV), le circuit d'absorption comprenant des condensateurs (C1, C3, C5) reliés entre les bornes positive et négative de la liaison à courant continu (III) et la terre. Le circuit d'absorption possède un réacteur de phase zéro (L1) situé dans la source de puissance (I). Le circuit d'absorption possède en outre un condensateur (C5) situé entre le réacteur de phase zéro (L1) et la source de puissance (I).
Designated States: US.
European Patent Office (DE, FR, GB).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)