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1. (WO1985003168) NON-LINEAR LOAD ELEMENT FOR MEMORY CELL
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1985/003168    International Application No.:    PCT/US1984/002124
Publication Date: 18.07.1985 International Filing Date: 20.12.1984
IPC:
G11C 11/411 (2006.01), H01L 27/07 (2006.01), H01L 27/102 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; 901 Thompson Place, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088 (US)
Inventors: WONG, Thomas, S., W.; (US)
Agent: KING, Patrick, T.; 901 Thompson Place, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088 (US)
Priority Data:
570,066 12.01.1984 US
Title (EN) NON-LINEAR LOAD ELEMENT FOR MEMORY CELL
(FR) ELEMENT DE CHARGE NON LINEAIRE POUR CELLULE DE MEMOIRE
Abstract: front page image
(EN)A bistable circuit element for integration into a static memory cell constructed of two transistors with cross-coupled base and collector regions and having a nonlinear load element (111) wherein the load element is a nonlinear surface load device. In particular, the nonlinear surface load device is a structure comprising a metallized contact segment (124) in semiconductor junction contact with a lightly doped monocrystalline silicon implant (119). The manufacturing technique approximates that of a Schottky diode with implant doping modified to increase the non-ideality factor m relative to the ideal of m = 1. The non-ideality factor m is limited so that the nonlinear surface load device does not degenerate into a linear ohmic.
(FR)Elément bistable de circuit destiné à être intégré dans une cellule de mémoire statique composée de deux transistors avec des régions de base et de collecteur couplées entre elles et possédant un élément de charge non linéaire (111), tel qu'un dispositif non linéaire de charge de surface. En particulier, le dispositif non linéaire de charge de surface est une structure comprenant un segment de contact métallisé (124) en contact par jonction semi-conductrice avec un implant en silicium monocristallin légèrement dopé (119). La technique de fabrication se rapproche de celle d'une diode Schottky, avec modification de dopage de l'implant visant à accroître le facteur m de non-idéalité par rapport à la valeur idéale de m=1. Le facteur m de non-idéalité est limité de sorte que le dispositif non linéaire de charge de surface ne dégénère pas en une caractéristique de contact ohmique.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)