WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1985002866) SPUTTER DEPOSITION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1985/002866    International Application No.:    PCT/GB1984/000452
Publication Date: 04.07.1985 International Filing Date: 27.12.1984
IPC:
C23C 14/34 (2006.01), H01J 37/34 (2006.01)
Applicants: ION TECH LIMITED [GB/GB]; 2 Park Street, Teddington, Middlesex TW11 OLT (GB) (For All Designated States Except US).
EVANS, David, Roger [GB/GB]; (GB) (For US Only)
Inventors: EVANS, David, Roger; (GB)
Agent: EDWARD EVANS & CO.; 53-64 Chancery Lane, London WC2A 1SD (GB)
Priority Data:
8334369 23.12.1983 GB
Title (EN) SPUTTER DEPOSITION
(FR) DEPOSITION PAR PULVERISATION
Abstract: front page image
(EN)A film is deposited on a substrate (25) from a plurality of sputter sources (21) to (23) arranged so that their major axes of emission intersect at a common point (26). The substrate (25) can be moved across the intersecting beams of the sources so that a film larger than the area of the intersecting beams is formed, and the sources (21) to (23) can be individually controlled so that a film of different layers can be formed when the substrate (25) is stationary and the film is made up of regions of different composition when the substrate is moved. Energetic neutral particles can also be directed at the substrate.
(FR)Un film est déposé sur un substrat (25) à partir d'une pluralité de sources de pulvérisation (21 à 23) disposées de telle manière que leurs axes d'émission principaux se coupent en un point commun (26). Le substrat (25) peut être déplacé à travers les faisceaux d'intersection des sources, si bien qu'est formé un film plus grand que la surface des faisceaux d'intersection; les sources (21 à 23) peuvent être contrôlées individuellement, si bien qu'un film de différentes couches peut être formé lorsque le substrat (25) est stationnaire alors que le film est formé de régions de compositions différentes lorsque le substrat est déplacé. Des particules énergétiques neutres peuvent également être dirigées sur le substrat.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)