WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1985002819) PROCESS FOR DISLOCATION-FREE SLOT ISOLATIONS IN DEVICE FABRICATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1985/002819    International Application No.:    PCT/US1984/001717
Publication Date: 04.07.1985 International Filing Date: 22.10.1984
IPC:
H01L 21/3065 (2006.01)
Applicants: ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; 901 Thompson Place, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088 (US)
Inventors: BAYMAN, Atiye; (US).
THOMAS, Mammen; (US)
Agent: KING, Patrick, T.; 901 Thompson Place, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088 (US)
Priority Data:
564,813 22.12.1983 US
Title (EN) PROCESS FOR DISLOCATION-FREE SLOT ISOLATIONS IN DEVICE FABRICATION
(FR) PROCEDE PERMETTANT D'OBTENIR DES ISOLATIONS DE FENTES SANS DISLOCATION DANS LA FABRICATION DE DISPOSITIFS
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor wafer (10) masked with a masking layer (14) having an opening (23) therethrough exposing a portion of the wafer (10) which is to be etched to form a depression (26) of a desired depth is etched via a first plasma etching step under high bias voltage-high energy conditions with a plasma which includes chlorine and a shape modifier species, e.g., argon, to a first depth which is less than the desired depth. Thereafter, the depression (26) is treated by a second plasma etching step under low bias voltage-low energy plasma etching conditions with a plasma which includes chlorine and is substantially free of the shape modifier species. A wet chemical etch follows to remove damaged silicon and impurities. The resulting depression has relatively straight walls (24) and is relatively free of cups and apexes. The depression is formed quickly and has a desired shape while only a minimal amount of damage and impurities are introduced into the wafer.
(FR)Une tranche semi-conductrice (10) masquée avec une couche de masquage (14) possédant une ouverture (23) la traversant et exposant une partie de la tranche (10) à graver pour former une dépression (26) d'une profondeur désirée est gravée pendant une première étape de gravure au plasma dans des conditions d'énergie et de tension de polarisation élevées, à l'aide d'un plasma comprenant du chlore et une espèce de modificateur de forme, par exemple de l'argon, jusqu'à une première profondeur qui est inférieure à la profondeur désirée. La dépression (26) est traitée ensuite pendant une deuxième étape de gravure au plasma dans des conditions d'énergie et de tension de polarisation faibles, à l'aide d'un plasma comprenant du chlore et qui est sensiblement exempt de l'espèce de modificateur de forme. Une étape de gravure chimique par la voie humide a lieu ensuite pour enlever le silicium endommagé et les impuretés. La dépression ainsi obtenue présente des parois relativement droites (24) et est relativement exempte de cuvettes et de sommets. La dépression est formée rapidement et possède la forme désirée et permet de n'introduire dans la tranche qu'une quantité minimale d'impuretés, tout en réduisant au minimum les endommagements.
Designated States: JP.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)