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1. (WO1985002295) GERMANIUM PIN PHOTODETECTOR ON A SILICON SUBSTRATE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1985/002295    International Application No.:    PCT/US1984/001611
Publication Date: 23.05.1985 International Filing Date: 10.10.1984
IPC:
H01L 31/105 (2006.01), H01L 31/12 (2006.01)
Applicants: AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH COMPANY [US/US]; 550 Madison Avenue, New York, NY 10022 (US)
Inventors: BEAN, John, Condon; (US).
KASTALSKY, Alexander; (US).
LURYI, Sergey; (US)
Agent: HIRSCH, A., E., Jr. @; Post Office Box 901, Princeton, NJ 08540 (US)
Priority Data:
554,061 21.11.1983 US
Title (EN) GERMANIUM PIN PHOTODETECTOR ON A SILICON SUBSTRATE
(FR) PHOTODETECTEUR p-i-n AU GERMANIUM SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)Devices useful, for example, as detectors in telecommunications systems have been formed utilizing a specific structure. In particular, a p-i-n device is fabricated on a silicon substrate (10) having the necessary circuitry for signal processing . This p-i-n device is produced by depositing an intermediary region (20) having a compositional gradient on this substrate (10) and forming a germanium based p-i-n diode on the intermediary region (20).
(FR)Dispositifs utiles par exemple comme détecteurs dans des systèmes de télécommunications et possédant une structure spécifique. On fabrique en particulier un dispositif p-i-n sur un substrat de silicium (10) doté des circuits nécessaires pour un traitement de signaux. Ce dispositif p-i-n est produit par déposition d'une région intermédiaire (20) dotée d'un gradient de composition sur ce substrat (10) et formation d'une diode p-i-n à base de germanium sur la région intermédiaire (20).
Designated States: JP, KR.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)