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1. WO1985000461 - CONTENT ADDRESSABLE MEMORY CELL

Publication Number WO/1985/000461
Publication Date 31.01.1985
International Application No. PCT/US1984/001079
International Filing Date 11.07.1984
IPC
G11C 15/04 2006.01
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
15Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
04using semiconductor elements
CPC
G11C 15/04
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
15Digital stores in which information comprising one or more characteristic parts is written into the store and in which information is read-out by searching for one or more of these characteristic parts, i.e. associative or content-addressed stores
04using semiconductor elements
Applicants
  • BURROUGHS CORPORATION [US]/[US]
Inventors
  • PHELPS, Andrew, E.
Agents
  • CHUNG, Edmund, M.
Priority Data
513,39314.07.1983US
Publication Language English (EN)
Filing Language English (EN)
Designated States
Title
(EN) CONTENT ADDRESSABLE MEMORY CELL
(FR) CELLULE DE MEMOIRE ADRESSABLE EN FONCTION DU CONTENU
Abstract
(EN)
A new and improved content addressable memory cell (m), which cell (m) stores data supplied on a load data input terminal (50-m) thereof. The disclosed memory cell (m) is adapted for comparing data supplied on a compare data input terminal (10-m) thereof with data stored in the cell (m), and for supplying an output signal on a match data output terminal (54) when the compare data is the same as the data stored in the cell (m). A latch circuit (66, 68) is employed as the storage element of the cell (m). First (Q10, Q6) and second (Q12, Q8) means are each coupled between a reference potential and the match data output terminal (54), which means (Q10, Q6), and (Q12, Q8) are operative in response to the state of the latch circuit (66, 68) and the compare data supplied on the compare data input terminal (10-m).
(FR)
Une nouvelle cellule de mémoire améliorée adressable en fonction du contenu (m) mémorise des données débitées sur un terminal d'entrée de données de charge (50-m) de celle-ci. La cellule de mémoire ci-décrite (m) est adaptée pour comparer des données débitées sur un terminal d'entrée de données de comparaison (10-m) de celle-ci à des données mémorisées dans la cellule (m), et pour débiter un signal de sortie sur un terminal de sortie de données de correspondance (54) lorsque les données de comparaison sont les mêmes que les données mémorisées dans la cellule (m). Un circuit de verrouillage (66, 68) est utilisé comme élément de stockage de la cellule (m). Des premiers (Q10, Q6) et des seconds (Q12, Q8) moyens sont couplés entre un potentiel de référence et le terminal de sortie de données de correspondance (54), lesquels moyens (Q10, Q6) et (Q12, Q8) sont opératifs en réponse à l'état du circuit de verrouillage (66, 68) et aux données de comparaison débitées sur le terminal d'entrée de données de comparaison (10-m).
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