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1. (WO1984003398) SEMICONDUCTOR LASER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1984/003398    International Application No.:    PCT/JP1984/000063
Publication Date: 30.08.1984 International Filing Date: 22.02.1984
IPC:
H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/16 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
  30.12.1899 null
Title (EN) SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER A SEMICONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A planar stripe type of semiconductor laser has a stripe width which is S1 at a position some distance from a light-emitting end surface thereof and S2 at the light-emitting end surface, and varies continuously therebetween. If the distance between the imaginary light source of lights rays parallel to the junction plane and the light-emitting end surface is D, the radius of curvature of the equiphase plane of light emitted from the light-emitting end surface is R, and the half-width of the near field pattern of the light at the light-emitting end surface is W, D is a maximum when R has a certain value with W as a parameter. Because D increases with W, and R increases with S1 and W increases with S2, substantially independently of each other; in order to reduce D, S1 must be larger or smaller than the range in which D has a large value. In addition, S2 is reduced to increase or decrease R and thus decrease W. Thus the semiconductor laser is barely affected by noise due to returning light and mode-hopping noise, and has an improved astigmatism.
(FR)Un type de laser à semiconducteur à bande plane possède une largeur de bande qui vaut S1 en un point situé à une certaine distance d"une surface d"extrémité photo-émettrice et qui vaut S2 à la surface d"extrémité photo-émettrice, en variant en continu entre ces deux points. Si la distance entre la source lumineuse imaginaire de rayons lumineux parallèles au plan de jonction et la surface d"extrémité photo-émettrice est D, le rayon de courbure du plan d"équiphase de la lumière émise par la surface d"extrémité photo-émettrice est R, et la demi-largeur du motif de champ proche de la lumière au niveau de la surface d"extrémité photo-émettrice est W, D présente une valeur maximum lorsque R a une certaine valeur avec W pris comme paramètre. D augmente avec W, R augmente avec S1 et W augmente avec S2, de manière sensiblement indépendante l"un de l"autre; afin de réduire D, S1 doit être plus grand ou plus petit que la plage dans laquelle D a une valeur élevée. En outre, S2 est réduit pour accroître ou diminuer R et, par conséquent, diminuer W. Le laser à semiconducteur n"est ainsi pratiquement pas perturbé par le bruit dû à la lumière de retour et par le bruit de saut de mode et présente un astigmatisme amélioré.
Designated States:
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)