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1. (WO1984003003) THIN-FILM DIELECTRIC AND PROCESS FOR ITS PRODUCTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1984/003003    International Application No.:    PCT/JP1984/000027
Publication Date: 02.08.1984 International Filing Date: 31.01.1984
IPC:
H01G 4/12 (2006.01), H01L 41/187 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
  30.12.1899 null
Title (EN) THIN-FILM DIELECTRIC AND PROCESS FOR ITS PRODUCTION
(FR) DIELECTRIQUE A FILM MINCE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(EN)A thin-film dielectric comprising a conductive substrate having formed thereon a thin layer of a ternary composition of lead titanate zirconate or lanthanum-containing lead titanate zirconate (PLZT) prepared by adding an ingredient represented by the formula Pb(M"1/3M"2/3)O3 (wherein M" represents a divalent transition metal, and M" represents Ta or Nb), as a third component to lead titanate (PT) and lead titanate zirconate (PZT) to form a solid solution. The total film thickness of the dielectric composition is 0.1 to 100 mum. The thin-film dielectric is produced by coating the substrate with an organic solvent solution of beta-diketone or the like as a precursor for said dielectric in a uniform thickness, prebaking at a temperature higher than the decomposition temperature of the organic material contained in the coating and lower than the crystallization temperature of the dielectric in an oxygen-containing stream, repeating the coating-prebaking procedure, then fully baking at a temperature higher than the crystallization temperature of the dielectric composition or repeating the coating with the precursor solution and the full baking procedure.
(FR)Diélectrique à film mince comprenant un substrat conducteur sur lequel est formée une mince couche d"une composition ternaire de zirconate de titanate de plomb ou de zirconate de titanate de plomb contenant du lanthane (PLZT) préparée en additionnant un ingrédient représenté par la formule Pb(M"1/3M"2/3)O3 (où M" représente un métal bivalent de transition et M" représente Ta ou Nb), en tant que troisième composant à du titanate de plomb (PT) et du zirconate de titanate de plomb (PZT) pour former une solution solide. L"épaisseur totale du film de la composition diélectrique varie entre 0,1 et 100 mum. Le diélectrique à film mince est produit en recouvrant le substrat d"une solution de solvant organique de beta-dicétone ou analogue d"une épaisseur uniforme en tant que précurseur de diélectrique, en effectuant une cuisson préalable à une température plus élevée que la température de décompostion du matériau organique contenu dans le revêtement et inférieure à la température de cristallisation du diélectrique dans un courant contenant de l"oxygène, en répétant le processus de revêtement-cuisson préalable, et en cuisant ensuite complètement à une température supérieure à la température de cristallisation de la composition diélectrique ou en répétant le revêtement avec la solution de précurseur et le processus de cuisson complète.
Designated States:
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)