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1. (WO1984002427) POWER TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1984/002427    International Application No.:    PCT/JP1983/000426
Publication Date: 21.06.1984 International Filing Date: 05.12.1983
IPC:
H01L 27/082 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/72 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
  30.12.1899 null
Title (EN) POWER TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR DE PUISSANCE
Abstract: front page image
(EN)In a monolithic power transistor which has a Darlington-connected structure, the base region (7) of the second-stage transistor is provided with a diffused region (8) of a conductivity type different from that of the base region (7) to prevent the formation of a parasitic transistor in the region connecting the emitter region (1) of the first-stage transistor and the base region (7) of the second-stage transistor, thereby increasing the dielectric breakdown strength thereof.
(FR)Dans un transistor de puissance monolithique possédant une structure Darlington, la région de la base (7) du transistor du deuxième étage présente une région diffusée (8) ayant un type de conductivité différent de celui de la région de la base (7), afin d"empêcher la formation d"un transistor parasite dans la région reliant la région d"émetteur (1) du transistor du premier étage et la région de la base (7) du deuxième étage du transistor augmentant ainsi sa résistance au claquage du diélectrique.
Designated States:
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)