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1. (WO1984001366) METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT WAVE GUIDES
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1984/001366    International Application No.:    PCT/FR1983/000201
Publication Date: 12.04.1984 International Filing Date: 05.10.1983
IPC:
C03C 17/02 (2006.01), C03C 17/34 (2006.01), G02B 6/134 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
  30.12.1899 null
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT WAVE GUIDES
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE GUIDES D"ONDES LUMINEUSES
Abstract: front page image
(EN)Method for manufacturing light wave guides comprising a plane support layer of a material having a relatively low refraction index, a plane layer for the propagation of the light waves, made of a material having a refraction index higher than that of the support layer and enclosed between two bands of a material having a refraction index lower than its own refraction index, and a plane layer for the confinement of light waves and made of a material having a refraction index lower than that of the propagation layer. At least one of the operations for depositing the plane layer for the propagation of light waves or for depositing the plane confinement layer is carried out by circulating into a pure silica tube vapors of a gas compound of silicon transformable into silica and a gas compound of a dopant transformable into the oxide of the latter, and by heating the vapors at a temperature sufficient to obtain a deposit of a doped silica layer having a refraction index different from that of pure silica. Concurrently, the diffusion or implantation of dopants, or their selective elimination may be used.
(FR)Procédé de fabrication de guides d"ondes lumineuses comportant une couche-support plane en un matériau d"indice de réfraction relativement faible, une couche plane de propagation des ondes lumineuses en un matériau d"indice de réfraction plus élevé que celui de la couche-support, enserrée entre deux bandes d"un matériau d"indice de réfraction inférieur au sien propre, et une couche plane de confinement des ondes lumineuses en un matériau d"indice de réfraction plus faible que celui de la couche de propagation. On effectue au moins l"une des opérations de dépôt de la couche plane de propagation des ondes lumineuses ou de la couche plane de confinement par circulation dans un tube en silice pure de vapeurs d"un composé gazeux du silicium transformable en silice et d"un composé gazeux d"un élément dopant transformable en oxyde de ce dernier, et chauffage des vapeurs à une température suffisante pour obtenir un dépôt d"une couche de silice dopée d"indice de réfraction différent de celui de la silice pure. On peut utiliser concurremment la diffusion ou l"implantation de dopants, ou leur élimination sélective.
Designated States:
Publication Language: French (FR)
Filing Language: French (FR)