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1. (WO1983004109) PAD FOR ACCELERATED MEMORY TEST
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1983/004109    International Application No.:    PCT/US1983/000515
Publication Date: 24.11.1983 International Filing Date: 07.04.1983
IPC:
G11C 29/50 (2006.01)
Applicants: MOTOROLA, INC. [US/US]; 1303 E. Algonquin Road, Schaumburg, IL 60196 (US)
Inventors: COUNTRYMAN, Roger, S., Jr.; (US)
Agent: GILLMAN, James, W. @; Motorola, Inc., Patent Department - Suite 200F, 4350 E. Camelback Road, Phoenix, AZ 85018 (US)
Priority Data:
378,555 17.05.1982 US
Title (EN) PAD FOR ACCELERATED MEMORY TEST
(FR) BLOC POUR TEST DE CONTROLE ACCELERE D'UNE MEMOIRE
Abstract: front page image
(EN)In a memory array of capacitive storage cells (22) having first (26) and second polysilicon (14) layers, an accelerated test for defects in insulating layers between substrate (32) and first polysilicon (26) and between first (26) and second polysilicon (14) is made possible by providing a probe pad (30) which is connected to the connection between the first polysilicon (26) and a resistor (12). The test is further facilitated by replacing the normally diffused resistor by a polysilicon resistor (12).
(FR)Dans une mémoire matricielle de cellules capacitives de stockage (22) ayant une première (26) et une seconde (14) couches de polysilicium, un test accéléré permettant de détecter des défauts dans des couches d'isolation entre le substrat (32) et la première couche de polysilicium (26) et entre la première couche de polysilicium (26) et la seconde couche de polysilicium (14) est rendu possible en connectant un bloc de test (30) à la connexion entre la première couche de polysilicium (26) et une résistance (12). Le test est en outre facilité en remplaçant la résistance normalement diffusée par une résistance de polysilicium (12).
Designated States: JP.
European Patent Office (DE, FR, GB, NL).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)