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1. (WO1983002685) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE ON GALLIUM NITRIDE BASE AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1983/002685    International Application No.:    PCT/SU1982/000002
Publication Date: 04.08.1983 International Filing Date: 02.02.1982
IPC:
H01L 21/208 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
Applicants: BAGRATISHVILI, Givi, Davidovich [SU/SU]; (SU).
DZHANELIDZE, Rusudan, Bidzinovna [SU/SU]; (SU).
ZORIKOV, Vladimir, Vasilevich [SU/SU]; (SU).
MIKHELASHVILI, Vissarion, Mordekhovich [SU/SU]; (SU).
PEKAR, Iosif, Efimovich [SU/SU]; (SU).
CHIKOVANI, Rafael, Iraklievich [SU/SU]; (SU).
CHKHAIDZE, Manana, Akakievna [SU/SU]; (SU).
BOGDANOVICH, Viktor, Borisovich [SU/SU]; (SU).
SVECHNIKOV, Sergey, Vasilevich [SU/SU]; (SU).
CHARMAKADZE, Revaz, Aleksandrovich [SU/SU]; (SU)
Inventors: BAGRATISHVILI, Givi, Davidovich; (SU).
DZHANELIDZE, Rusudan, Bidzinovna; (SU).
ZORIKOV, Vladimir, Vasilevich; (SU).
MIKHELASHVILI, Vissarion, Mordekhovich; (SU).
PEKAR, Iosif, Efimovich; (SU).
CHIKOVANI, Rafael, Iraklievich; (SU).
CHKHAIDZE, Manana, Akakievna; (SU).
BOGDANOVICH, Viktor, Borisovich; (SU).
SVECHNIKOV, Sergey, Vasilevich; (SU).
CHARMAKADZE, Revaz, Aleksandrovich; (SU)
Agent: THE USSR CHAMBER OF COMMERCE AND INDUSTRY; ul. Kuibysheva, 5/2, Moscow, 103012 (SU)
Priority Data:
Title (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE ON GALLIUM NITRIDE BASE AND METHOD FOR MANUFACTURE THEREOF
(FR) DISPOSITIF ELECTROLUMISCENT A SEMI CONDUCTEUR SUR UNE BASE DE NITRURE GALLIUM ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)The device comprises a substrate (1) fabricated of monocrystalline material, which is transparent in a visible region of a spectrum. A gallium nitride layer (2) having n-type conductivity is deposited on the substrate (1), on which layer another gallium nitride layer (3), doped with acceptor impurities, is deposited. The device comprises also two metal electrodes (5) and (6), to which a voltage is applied so that the electrode (5) has a negative polarity and the electrode (6) has a positive polarity. According to the invention, on the gallium nitride layer (3), doped with acceptor impurities, a layer (4) is formed, which layer consists of insulating material. The method of manufacturing the device includes an epitaxial growth of the gallium nitride layer having n-type conductivity on the substrate which is transparent in the visible spectrum, epitaxial growth of the gallium nitride layer doped with acceptor impurities on the layer (2), and a formation of two metal electrodes. According to the invention, the layer of insulating material is formed before two metal electrodes have been formed on the gallium nitride layer doped with acceptor impurities.
(FR)Le dispositif comprend un substrat (1) fabriqué avec un matériau mono-cristallin transparent dans une région visible du spectre. Une couche de nitrure de gallium (2) ayant une conductivité du type n est déposée sur le substrat (1), puis une autre couche de nitrure de gallium (3) dopée avec des impuretés acceptrices est déposée sur la première couche de nitrure de gallium. Le dispositif comprend également deux électrodes métalliques (5 et 6) sur lesquelles une tension est appliquée de sorte que l'électrode (5) posssède une polarité négative et l'électrode (6) possède une polarité positive. Selon l'invention, une couche (4) est formée sur la couche de nitrure de gallium (3) dopée d'impuretés acceptrices, laquelle couche (4) se compose d'un matériau isolant. Le procédé de fabrication du dispositif comprend une croissance hépitaxiale de la couche de nitrure de gallium ayant une conductivité du type n sur le substrat qui est transparent dans la région visible du spectre, une croissance hépitaxiale de la couche de nitrure de gallium dopée avec des impuretés acceptrices sur la couche (2), et une formation de deux électrodes métalliques. Selon l'invention, la couche en matériau isolant est formée avant que ne soit formées les deux couches métalliques sur la couche de nitrure de gallium dopée avec des impuretés acceptrices.
Designated States: AT, CH, DE, GB, JP, US.
Publication Language: Russian (RU)
Filing Language: Russian (RU)