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1. (WO1983002287) ELECTROLESS COPPER DEPOSITION SOLUTIONS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1983/002287    International Application No.:    PCT/US1981/001726
Publication Date: 07.07.1983 International Filing Date: 21.12.1981
IPC:
C23C 18/40 (2006.01)
Applicants: MACDERMID INCORPORATED [US/US]; 50 Brookside Road, Waterbury, CT 06720 (US)
Inventors: FERRIER, Donald, R.; (US).
RHODENIZER, Harold, L.; (US).
KUKANSKIS, Peter, E.; (US).
GRUNWALD, John, J.; (US)
Agent: ST. ONGE, Ronald, J.; St. Onge Steward Johnston Reens & Noe, 5 Landmark Square, Stamford, CT 06901 (US)
Priority Data:
Title (EN) ELECTROLESS COPPER DEPOSITION SOLUTIONS
(FR) SOLUTIONS DE DEPOT NON-ELECTROLYTIQUE DU CUIVRE
Abstract: front page image
(EN)Suitably complexed cupric solutions can deposit conductive copper films electrolessly on properly catalyzed non-conductive substrates, at plating bath pH values in the range of about 2.0 to 3.5, using a non-formaldehyde reducer such as hypophosphite. Certain conditions are critical to successful results: (1) ability of the complexer selected to chelate copper at pH values of 2.0 to 3.5 at elevated temperatures (140?o¿ to 160?o¿F); (2) avoidance of certain anions, such as halides and acetates, in significant concentrations in the plating solution; and (3) provision of an "active" catalytic surface on the non-conductive substrate.
(FR)Des solutions cuivriques convenablement complexées peuvent déposer sans passage d'un courant électrique des films conducteurs de cuivre sur des substrats catalysés non-conducteurs, à des valeurs de pH allant d'environ 2,0 à 3,5 dans le bain de placage, en utilisant un réducteur non-formaldéhyde tel que l'hypophosphite. Pour obtenir de bons résultats, les conditions suivantes sont essentielles: 1) le complexeur choisi doit pouvoir chélater le cuivre à des valeurs de pH entre 2,0 et 3,5 à des températures élevées (140?o¿ à 160?o¿F); 2) il faut éviter des concentrations importantes de certains anions dans la solution de placage, tels que les halogénures et les acétates; et 3) il faut prévoir une surface catalytique "active" sur le substrat non-conducteur.
Designated States: AU, JP.
European Patent Office (CH, DE, FR, GB, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)