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1. (WO1983002200) METHOD FOR MANUFACTURING SEMI-CONDUCTING DEVICES AND SEMI-CONDUCTING DEVICES THUS OBTAINED
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1983/002200    International Application No.:    PCT/BE1982/000024
Publication Date: 23.06.1983 International Filing Date: 09.12.1982
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01)
Applicants: De Belgische Staat vertegenwoordigd door de Secret [BE/BE]; aris-Generaal van de Diensten voor Programmatie va, n het Wetenschapsbeleid;, Wetenschapsstraat 8;, B-Brussel; (BE) (For All Designated States Except US).
FRISSON, Louis [BE/BE]; (BE) (For US Only).
JANSSENS, Robert [BE/BE]; (BE) (For US Only).
HONORE, Mia [BE/BE]; (BE) (For US Only).
MERTENS, Robert, Pierre [BE/BE]; (BE) (For US Only).
Van OVERSTRAETEN, Roger [BE/BE]; (BE) (For US Only)
Inventors: FRISSON, Louis; (BE).
JANSSENS, Robert; (BE).
HONORE, Mia; (BE).
MERTENS, Robert, Pierre; (BE).
Van OVERSTRAETEN, Roger; (BE)
Agent: PIRSON, J.; Bureau Gevers N.V., Livornostraat 7, Bus 1, B-1050 Brussel (BE)
Priority Data:
83831 10.12.1981 LU
Title (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMI-CONDUCTING DEVICES AND SEMI-CONDUCTING DEVICES THUS OBTAINED
(FR) PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS ET DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS AINSI OBTENUS
Abstract: front page image
(EN)Method for manufacturing a semi-conducting device, comprising a sensitive front side and a back side so arranged as to provide a ohmic contact, having a semi-conducting substrate, such as silicium, in the shape of a slice, which comprises making a junction on the front side of the semi-conducting substrate slice, by diffusing therein a doping material, coating the doped front side with an anti-reflecting material layer, covering by silk-screening the anti-reflecting material layer with a layer of a silver-based paste, applying by silk-screening over a large part at least of the back side from the semi-conducting substrate slice, a first layer formed by an aluminum paste, and applying by silk-screening over the first aluminum layer, a second layer the covering rate of whch lies between 10 and 40%, formed either by a paste on the basis of silver and palladium.
(FR)Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, comprenant un côté antérieur sensible et un côté postérieur disposé de manière à assurer un contact ohmique, possédant un substrat semiconducteur, tel que du silicium, sous la forme d'une tranche, et consistant à établir une jonction sur le côté antérieur de la tranche du substrat semiconducteur, en y diffusant un matériau de dopage, à recouvrir le côté antérieur dopé d'une couche de matériau anti-réfléchissant, à recouvrir par un procédé sérigraphique la couche de matériau anti-réfléchissant d'une couche de pâte à base d'argent, à appliquer par un procédé sérigraphique sur au moins une partie étendue du côté postérieur de la tranche de substrat semiconducteur une première couche formée d'une pâte d'aluminium, et à appliquer par un procédé sérigraphique une deuxième couche sur la première couche d'aluminium, avec un taux de couverture se situant entre 10 et 40 %, composée d'une pâte à base d'argent et de palladium.
Designated States: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, CH, DE, FR, GB, LU, NL, SE).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: Dutch; Flemish (NL)