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1. (WO1983002199) NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1983/002199    International Application No.:    PCT/US1982/001731
Publication Date: 23.06.1983 International Filing Date: 10.12.1982
IPC:
H01L 21/314 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Applicants: NCR CORPORATION [US/US]; World Headquarters, Dayton, OH 45479 (US)
Inventors: YEN, Yung-Chau; (US)
Agent: DALTON, Philip, A. @; Patent Division, NCR Corporation, World Headquarters, Dayton, OH 45479 (US)
Priority Data:
330,345 14.12.1981 US
Title (EN) NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE NON-VOLATILE A SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Abstract: front page image
(EN)A non-volatile semiconductor memory device (50) includes, formed in successive layers on a substrate (10), a silicon oxide layer (13), a silicon oxynitride layer (14), a silicon nitride layer (15), a further silicon oxynitride layer (16) and a silicon gate electrode (19). At least one of the oxynitride layers (14, 16) is of graded oxygen:nitrogen composition. An alternative embodiment includes only a single oxynitride layer (14) formed on the oxide layer (13), the single oxynitride layer (14) being graded. The grading of the oxynitride layers (14, 16) is in incremental steps. The oxynitride layers (14, 16) and the nitride layer (15) are formed by low pressure chemical vapor deposition at the same temperature. The devices have the advantage of high retention.
(FR)Un dispositif de mémoire non-volatile à semiconducteur (50) comprend, disposées en couches successives sur un substrat (10), une couche d'oxyde de silicium (13), une couche d'oxynitrure de silicium (14), une couche de nitrure de silicium (15), une autre couche d'oxynitrure de silicium (16) et une électrode de porte de silicium (19). Au moins l'une des couches d'oxynitrure (14, 16) est une composition à gradation oxygène:azote. Un autre mode de réalisation comprend une seule couche d'oxynitrure (14) formée sur la couche d'oxyde (13), cette couche unique d'oxynitrure (14) étant à gradation. La gradation des couches d'oxynitrure (14, 16) se fait par incrément. Les couches d'oxynitrure (14, 16) et la couche de nitrure (15) sont formées par dépôt de vapeur chimique à faible pression à la même température. Les dispositifs présentent l'avantage d'avoir une grande rétention.
Designated States: JP.
European Patent Office (DE, GB, NL).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)