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1. (WO1983002038) SEMICONDUCTOR PHOTOELECTRIC CONVERTER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1983/002038    International Application No.:    PCT/JP1982/000458
Publication Date: 09.06.1983 International Filing Date: 30.11.1982
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/772 (2006.01), H01L 31/112 (2006.01)
Applicants: SEMICONDUCTOR RESEARCH FOUNDATION [JP/JP]; Kawauchi, Sendai-shi, Miyagi 980 (JP) (For All Designated States Except US).
NISHIZAWA, Jun-ichi [JP/JP]; (JP) (For US Only)
Inventors: NISHIZAWA, Jun-ichi; (JP)
Agent: TAMAMUSHI, Kyugoro; 5-2, Minaminagasaki 2-chome, Toshima-ku, Tokyo 171 (JP)
Priority Data:
56/194286 01.12.1981 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR PHOTOELECTRIC CONVERTER
(FR) CONVERTISSEUR PHOTOELECTRIQUE A SEMICONDUCTEURS
Abstract: front page image
(EN)A semiconductor photoelectric converter which is capable of operating at a high sensitivity and high speed over a range of frequencies ranging from infrared to far infrared. For that purpose, the photoelectric converter is composed of a static induction type of transistor and a static induction thyristor. Atoms which form an impurity layer which is excited by light having a wavelength longer than the wavelength of the light corresponding to the energy of the forbidden band width of the channel region receiving the light are added to the channel region.
(FR)Convertisseur photoélectrique à semiconducteurs pouvant fonctionner avec une sensibilité élevée et à haute vitesse dans une gamme de fréquence s'étalant de l'infrarouge à l'extrême infrarouge. Le convertisseur photoélectrique se compose d'un type de transistor à induction statique et d'un thyristor à induction statique. On ajoute à la région du canal des atomes qui forment une couche d'impureté qui est excitée par la lumière possédant une longueur d'onde plus longue que la longueur d'onde de la lumière correspondant à l'énergie de la largeur de bande interdite de la région du canal recevant la lumière.
Designated States: US.
European Patent Office (DE, FR, GB, NL).
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)