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1. (WO1982000138) SILICON CARBIDE COMPOSITE AND PROCESS FOR PRODUCTION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1982/000138    International Application No.:    PCT/US1981/000850
Publication Date: 21.01.1982 International Filing Date: 23.06.1981
IPC:
B01J 3/06 (2006.01), B24D 3/06 (2006.01), C04B 35/573 (2006.01)
Applicants: GENERAL ELECTRIC COMPANY
Inventors:
Priority Data:
Title (EN) SILICON CARBIDE COMPOSITE AND PROCESS FOR PRODUCTION
(FR) COMPOSITE DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCEDE DE PRODUCTION
Abstract: front page image
(EN)Sintered silicon carbide composites containing diamond crystals. They are made through a process comprising: (a) forming a first dispersion of diamond crystals and carbon black in paraffin; (b) forming a second dispersion of carbon fiber, carbon black and filler in paraffin; (c) compacting one of the dispersions to produce a physically stable intermediate compact; (d) recompacting the intermediate with the remaining dispersion to produce a binary compact; (e) subjecting the binary compact to a vacuum for a period of time at a temperature sufficient to vaporize essentially all of the paraffin; (f) infiltrating the binary compact with liquid silicon, and (g) sintering the binary compact containing infiltrated silicon under conditions sufficient to produce a (Beta)-silicon carbide binder uniting the resultant composite. These composites may be formed in a variety of specialized shapes and are particularly useful as cutting materials and/or wear components, where they exhibit extreme wear resistance.
(FR)Composites de carbure de silicium frittes contenant des cristaux de diamant. Ils sont fabriques par un procede qui consiste a (a) former une premiere dispersion de cristaux de diamant et de noir de carbone dans de la paraffine; (b) former une seconde dispersion de fibres de carbone, de noir de carbone et d'un materiau de remplissage dans de la paraffine; (c) compacter l'une des dispersions pour produire un produit compact intermediaire physiquement stable; (d) recompacter le produit compacte intermediaire avec la dispersion restante pour produire un produit compact binaire; (e) mettre le produit compact binaire sous vide pendant une periode de temps et a une temperature suffisantes pour vaporiser sensiblement toute la paraffine; (f) impregner le compact binaire avec du silicium liquide, et (g) fritter le produit compact binaire contenant le silicium infiltre dans des conditions suffisantes pour produire un liant de carbure de silicium (Beta) liant le composite obtenu. Ces composites peuvent etre formes dans une variete de formes speciales et sont particulierement utiles comme materiaux de coupe et/ou des composants anti-usure, ou ils font preuve d'une resistance extreme a l'usure.
Designated States:
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)