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1. (WO1981003240) LIFT-OFF PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1981/003240    International Application No.:    PCT/US1980/000544
Publication Date: 12.11.1981 International Filing Date: 08.05.1980
H01L 21/027 (2006.01)
Priority Data:
US80/00544 08.05.1980 WO
Abstract: front page image
(EN)A method of forming a conductive pattern on a semiconductor substrate including the steps of depositing a first layer of material having a first etch rate characteristic on an underlying layer of the substrate, and applying a masking layer having a second etch rate characteristic different from the first and forming a pattern of apertures over the first layer. An etching solution is then applied to the body over the masking layer so that the first layer is etched at the apertures to the underlying layer or substrate, and thereby creating an undercut underneath the masking layer. A metal film of a suitable thickness is deposited over the layers so as to create a discontinuous step over the edge of the masking layer. Finally, a dissolving solution is applied which is capable of dissolving the first layer so that the first layer is removed as well as lifting off the metal layer overlying the masking layer, thereby leaving a pattern of metal on the substrate.
(FR)Procede de formation d"un modele conducteur sur un substrat semi-conducteur consistant a deposer une premiere couche de materiau ayant un premier taux d"attaque chimique caracteristique sur une couche sous-jacente du substrat, et a appliquer une couche de masque ayant un second taux d"attaque chimique caracteristique different du premier et formant une configuration d"ouvertures sur la premiere couche. Une solution d"attaque chimique est ensuite appliquee sur le corps par dessus la couche de masque de sorte que la premiere couche soit attaquee chimiquement au niveau des ouvertures sur la couche sous-jacente ou substrat, creant ainsi une depouille sous la couche de masque. Une pellicule metallique d"une epaisseur appropriee est deposee sur les couches de maniere a creer un escalier discontinu sur le bord de la couche de masque. Finalement, une solution dissolvante est appliquee pouvant dissoudre la premiere couche pour l"enlever et decoller la couche metallique deposee sur la couche de masque, laissant ainsi une configuration de metal sur le substrat.
Designated States:
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)