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1. (WO1981000937) CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER WITH REDUCED POWER DISSIPATION
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1981/000937    International Application No.:    PCT/US1980/001129
Publication Date: 02.04.1981 International Filing Date: 02.09.1980
IPC:
H03F 3/30 (2006.01), H03F 3/45 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
80153 28.09.1979 US
Title (EN) CMOS OPERATIONAL AMPLIFIER WITH REDUCED POWER DISSIPATION
(FR) AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL A CMOS AVEC DISSIPATION DE PUISSANCE REDUITE
Abstract: front page image
(EN)Operational amplifier (10) comprised of MOSFET elements which provides for a variable drive for an output stage (18) that results in lower power dissipation and increased gain factor over comparable circuits using constant bias drive for the output stage. A bias section (14) comprised of complementary MOS elements (24, 26) is connected to a single MOSFET (40) that furnishes constant current to the signal input section of a differential amplifier section (20). The output of this differential amplifier is furnished by one path directly to one complementary MOSFET element (72) of a high impedance output stage and by another path to a level shift section (16) which provides an output to a second complementary MOSFET element (80) of the output stage. Thus, the circuit functions under class A-B operation at low power dissipation and provides high open loop gain. Additional embodiments of the invention utilize three MOSFET elements (104, 106, 108) in the level shift section or an additional output stage having an NPN transistor (120) in combination with an N channel MOSFET (122).
(FR)Amplificateur operationnel (10) compose d'element MOSFET servant de circuit variable d'attaque pour un etage de sortie (18) se traduisant par une plus faible dissipation de puissance et un facteur de gain accru par rapport aux autres circuits comparables utilisant un circuit d'attaque a polarisation constante pour l'etage de sortie. Une section de polarisation (14) se composant d'element MOS complementaire (24, 26) est connectee a un MOSFET simple (40) qui fournit un courant constant a la section d'entree de signal d'une section d'amplificateur differentiel (20). La sortie de cet amplificateur differentiel est fournie par un chemin directement a un element complementaire MOSFET (72) d'un etage de sortie a haute impedance et par un autre chemin a une section de changement de niveau (16) qui fournit une sortie pour un deuxieme element complementaire MOSFET (80) de l'etage de sortie. Le circuit fonctionne ainsi en classe A-B avec une faible dissipation de puissance et consent un gain de boucle ouverte eleve. Les realisations additionnelles utilisent trois elements MOSFET (104, 106, 108) dans la section de changement de niveau ou un etage de sortie additionnel compose d'un transistor NPN (120) combine a un MOSFET a canal N (122).
Designated States:
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)