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1. (WO1981000487) HYDROGEN ANNEALING PROCESS FOR SILICON GATE MEMORY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1981/000487    International Application No.:    PCT/US1980/001020
Publication Date: 19.02.1981 International Filing Date: 07.08.1980
IPC:
H01L 21/30 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
65806 13.08.1979 US
Title (EN) HYDROGEN ANNEALING PROCESS FOR SILICON GATE MEMORY DEVICE
(FR) PROCEDE DE RECUIT A L'HYDROGENE POUR UN DISPOSITIF DE MEMOIRE DE PORTE AU SILICIUM
Abstract: front page image
(EN)In a method for manufacturing a semiconductor non-volatile SNOS or SONOS memory device having a gate structure which includes a gate oxide layer (11) provided on a semiconductor substrate (16), a nitride layer (12) provided on the gate oxide layer (11) and a polysilicon gate electrode (14) overlying the nitride layer (12), the device is annealed in hydrogen, in an annealing vessel (40), typically for 15-60 minutes at 600-1100 C.
(FR)Dans un procede de fabrication d'un dispositif de memoire SNOF ou FONOS remanent semi-conducteur ayant une structure de porte qui comprend une couche d'oxyde de porte (11) disposee sur un substrat semi-conducteur (16), une couche de nitrure (12) formee sur la couche d'oxyde de porte (11) et une electrode de porte de polysilicium (14) recouvrant la couche de nitrure (12), le dispositif est recuit dans l'hydrogene, dans un recipient de recuit (40), d'une maniere caracteristique pendant 15-60 minutes a 600-1100 C.
Designated States:
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)