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1. (WO1981000326) SILICON ON SAPPHIRE LASER PROCESS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1981/000326    International Application No.:    PCT/US1980/000917
Publication Date: 05.02.1981 International Filing Date: 23.07.1980
IPC:
H01L 21/268 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
60081 24.07.1979 US
Title (EN) SILICON ON SAPPHIRE LASER PROCESS
(FR) PROCEDE AU LASER DE SILICIUM SUR SAPHIR
Abstract: front page image
(EN)A beam of radiant energy (13) such as a laser beam is applied to an epitaxial silicon island on a silicon on sapphire device before formation of overlying layers of oxide and metal. The energy beam (13) changes the crystal structure of the epitaxial silicon island (2) to increase the mobility of carriers in the silicon island (2), improving the speed of transistors formed on the silicon island (2). The energy beam (13) also causes the material in the silicon island edge (2) to reflow, causing a reduction in the slope of the edge face of the silicon island edge (3), and a smoothing of the surface of the face, resulting in improved aluminum step coverage and elimination of a V-shaped groove in the first insulation layer (6) at the bottom corner edge (8) of the island (2), thereby increasing processing yield.
(FR)Un rayon d"energie de radiation (13) tel qu"un rayon laser est applique sur un ilot de silicium epitaxial sur un dispositif de silicium sur saphir avant la formation de couche de recouvrement d"oxyde et de metal. Le rayon d"energie (13) change la structure des cristaux de l"ilot de silicium epitaxial (2) pour ameliorer la mobilite des porteurs dans l"ilot de silicium (2), ameliorant la vitesse des transistors formee sur l"ilot de silicium (2). Le rayon d"energie (13) provoque egalement le reecoulement du materiau dans le bord de l"ilot de silicium (2), reduisant ainsi la pente de la face de la bordure (3) de l"ilot de silicium, et un adoucissement de la surface de la face, ce qui resulte en un meilleur recouvrement d"aluminium et une elimination de la rainure en forme de V dans la premiere couche isolante (6) au niveau du bord du coin inferieur (8) de l"ilot (2), ameliorant ainsi le rendement du procede.
Designated States:
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)