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1. (WO1981000174) VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1981/000174    International Application No.:    PCT/US1980/000748
Publication Date: 22.01.1981 International Filing Date: 16.06.1980
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
54821 05.07.1979 US
Title (EN) VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP VERTICAL
Abstract: front page image
(EN)A vertical field effect transistor (10) includes a relatively wide bandgap, lowly doped active layer (18) epitaxially grown on, and substantially lattice matched to, an underlying semiconductor body portion (13). A mesa (20) of lower bandgap material is epitaxially grown on and substantially lattice matched to the active layer. A source electrode (22) is formed on a bottom major surface (34) of the semiconductor body portion, a drain electrode (24) is formed on the top of the mesa, and a pair of gate electrode stripes (26) are formed on the active layer adjacent both sides of the mesa. When voltage (VG), negative with respect to the drain, is applied to the gate electrodes, the depletion regions (28) there under extend laterally in the active layer until they intersect, thereby pinching off the flow of current in the channel extending from the drain and source electrodes. Also described is an embodiment in which spaced-apart, high impedance zones (30) underlie the active layer and the mesas, and the spaces between zones underlie the gate stripes.
(FR)Un transistor a effet de champ vertical (10) comprend une couche active faiblement dopee, a espace de bandes relativement larges (18) developpees epitaxialement sur, et accouplees sensiblement de maniere treillagee sur une portion d"un corps a semi-conducteur sous-jacent (13). Une mesa (20) d"un materiau d"espace de bandes plus etroites est developpee epitaxialement et accouplee sensiblement de maniere treillagee sur la couche active. Une electrode de source (22) est formee sur une surface principale de fond (34) de la portion du corps a semi-conducteur, une electrode de drainage (24) est formee sur la partie superieure de la mesa, et une paire de bandes d"electrodes de porte (26) sont formees sur la couche active adjacente aux deux cotes de la mesa. Lorsqu"une tension (VG), negative par rapport au drainage, est appliquee sur les electrodes de porte, les regions d"appauvrissement (28) sous celles-ci s"etendent lateralement dans la couche active jusqu"a ce qu"elles se coupent, retrecissant ainsi le canal et reduisant le debit de courant passant dans le canal s"etendant a partir des electrodes de drainage et de source. Dans un mode de realisation, des zones espacees d"impedance elevee (30) sont sous-jacentes a la couche active et aux mesas, et les espaces entre les zones sont sous-jacents aux bandes de porte.
Designated States:
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)