WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1980002889) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1980/002889    International Application No.:    PCT/JP1980/000132
Publication Date: 24.12.1980 International Filing Date: 14.06.1980
IPC:
G11C 29/00 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
79/75509 15.06.1979 JP
Title (EN) SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE MEMOIRE A SEMICONDUCTEUR
Abstract: front page image
(EN)A memory device (10) including a conventional redundant memory array (12). The redundant memory array (12) is used for compensating the data stored in a defective memory cell (13") of a main memory-cell group (11) located in the memory device (10). Addressing means (15) for addressing one cell in the memory-cell group accesses both the main memory-cell group (11) and the redundant memory array (12). Simultaneously, operated are both detecting means (16), which detect whether address information AI to be supplied to the addressing means (15) addressed the defective memory cell (13") or not, and switching means (17) which selects either channel of the main memory-cell group (11) or of the redundant memory array (12) according to the result of the detecting means (16). The switching means (17) is connected between a main data bus (DBm) cooperating with the main memory-cell group (11) and a redundant data bus (DBr) cooperating with the redundant memory array (12).
(FR)Un dispositif de memoire (10) comprend une memoire cellulaire redondante conventionnelle (12). La memoire cellulaire redondante (12) est utilisee pour compenser les donnees stockees dans une cellule de memoire defectueuse (13") d"un groupe principal de cellules de memoire (11) situees dans le dispositif de memoire (10). Des moyens d"adressage (15) pour l"adressage d"une cellule d"un groupe de cellules de memoire ont acces a la fois au groupe principal de cellules de memoire (11) et a la memoire cellulaire redondante (12). Simultanement, les moyens de detection (16) fonctionnent pour detecter si l"information d"adresse (AI) a envoyer aux moyens d"adressage (15) ont adresse la cellule de memoire defectueuse (13") ou non, et des moyens de commutation (17) fonctionnent pour selectionner soit le canal du groupe principal a cellules de memoire (11), soit le canal de la memoire cellulaire redondante (12) en fonction du resultat des moyens de detection (16). Les moyens de commutation (17) sont connectes entre un bus de donnees principal (DBm) cooperant avec le groupe principal a cellules de memoire (11) et un bus de donnees redondant (DBr) cooperant avec la memoire cellulaire redondante (12).
Designated States:
Publication Language: Japanese (JA)
Filing Language: Japanese (JA)