WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1980001967) THERMO-COMPRESSION BONDING A SEMICONDUCTOR TO STRAIN BUFFER
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1980/001967    International Application No.:    PCT/US1980/000220
Publication Date: 18.09.1980 International Filing Date: 05.03.1980
IPC:
H01L 21/48 (2006.01), H01L 21/603 (2006.01), H01L 23/492 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
19294 09.03.1979 US
Title (EN) THERMO-COMPRESSION BONDING A SEMICONDUCTOR TO STRAIN BUFFER
(FR) LIAISON PAR THERMOCOMPRESSION D"UN SEMI-CONDUCTEUR SUR UN TAMPON CONTRAINT
Abstract: front page image
(EN)A diffusion bonding press (10) and method are provided for thermocompression diffusion bonding structured copper strain buffers (55, 65) directly to one or each of the two major opposed surfaces (70a, 70b) of a substrateless semiconductor device wafer (70) having a first metal coating (94, 96) of titanium, chromium or nickel and a layer (98, 100) of copper, silver or gold. The expensive tungsten or molybdenum support plate conventionally employed to provide structural integrity to the relatively fragile semiconductor device wafer is thus eliminated. The wafer may have a passivated beveled outer edge surface (70c) prior to bonding. A selected portion of each structured copper strain buffer is diffusion bonded to the semiconductor device wafer while subjecting the wafer only to substantially compressive force, thus avoiding wafer fracture during the bonding process. The structured copper strain buffers may further have lateral extents no greater than the lateral extent of the respective semiconductor device wafer surface in contact therewith, allowing the beveled surface to be cleaned and passivated after attachment of the strain buffers to the wafer via diffusion bonding. When only one buffer (55 or 65) is bonded to the wafer, a rigid member, such as quartz, may be interposed between the plate of the press and the noncoated surface of the wafer.
(FR)Presse de liaison par diffusion (10) et methode pour effectuer la liaison par diffusion par thermo-compression de tampons contraints en cuivre structures (55, 65) directement sur l"une ou chacune des deux surfaces principales opposees (70a, 70b) d"une tranche d"un dispositif semi-conducteur sans substrat (70) ayant un premier revetement metallique (94, 96) de titane, chrome ou nickel et une couche (98, 100) de cuivre, argent ou or. La plaque de support en tungstene ou molybdene couteuse habituellement utilisee pour donner une integrite structurelle a la tranche du dispositif semi-conducteur relativement fragile est ainsi eliminee. La tranche peut avoir une surface des bords exterieurs biseautes passives (70c) avant une liaison. Une partie determinee de chaque tampon contraint en cuivre structure est liee par diffusion sur la tranche du dispositif semi-conducteur tout en soumettant la tranche seulement a une force sensiblement compressive, evitant ainsi la cassure de la tranche pendant le procede de liaison. Les tampons contraints en cuivre structures peuvent avoir des etendues laterales qui ne sont pas superieures a l"etendue laterale de la surface de la tranche du dispositif semi-conducteur qui sont respectivement en contact, permettant le nettoyage et la passivation de la surface biseautee apres la fixation des tampons contraints sur la tranche par liaison par diffusion. Lorsqu"un seul tampon (55 ou 65) est lie sur la tranche, un organe rigide, tel que du quartz peut etre interpose entre la plaque de la presse et la surface non-revetue de la tranche.
Designated States:
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)