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1. (WO1980001337) HIGH VOLTAGE DIELECTRICALLY ISOLATED SOLID-STATE SWITCH
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1980/001337    International Application No.:    PCT/US1979/001043
Publication Date: 26.06.1980 International Filing Date: 06.12.1979
IPC:
H01L 21/74 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
972056 20.12.1978 US
Title (EN) HIGH VOLTAGE DIELECTRICALLY ISOLATED SOLID-STATE SWITCH
(FR) COMMUTATEUR A SEMI-CONDUCTEUR DE HAUTE TENSION A ISOLATION DIELECTRIQUE
Abstract: front page image
(EN)A high voltage solide-state switch, which allows alternating current or direct current operation and provides bidirectional blocking, consists of a first p-type semiconductor body (16) separated from a semiconductor substrate (12) by a dielectric layer (14) with a p+ type anode region (18), an n+ type cathode region (24) and an n+ type gate region (20) located on a common major surface of the semiconductor body. A second p type region (22) of higher impurity concentration than the semiconductor body encircles the cathode region. Separate low resistance electrical contacts are made to the anode, cathode, and gate regions.
(FR)Un commutateur a semi-conducteur de haute tension qui permet un fonctionnement en courant alternatif ou en courant continu et assure un blocage bi-directionnel, consiste en un premier corps a semi-conducteur du type p (16) separe d"un substrat semi-conducteur (12) par une couche dielectrique (14) ayant une region anode du type c+ (18), une region cathode du type n+ (24) et une region a portes du type n+ (20) situees sur une surface principale commune du corps semi-conducteur. Une seconde region du type p (22) a concentration plus forte en impuretes que le corps semi-conducteur encercle la region cathode. Des contacts electriques separes a faible resistance sont prevus sur les regions anode, cathode et portes.
Designated States:
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)