WIPO logo
Mobile | Deutsch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Search International and National Patent Collections
World Intellectual Property Organization
Search
 
Browse
 
Translate
 
Options
 
News
 
Login
 
Help
 
Machine translation
1. (WO1980000765) LOW NOISE MULTISTAGE AVALANCHE PHOTODETECTOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1980/000765    International Application No.:    PCT/US1979/000749
Publication Date: 17.04.1980 International Filing Date: 21.09.1979
IPC:
H01L 29/205 (2006.01), H01L 31/107 (2006.01), H01L 31/111 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
949057 06.10.1978 US
Title (EN) LOW NOISE MULTISTAGE AVALANCHE PHOTODETECTOR
(FR) PHOTODETECTEUR A AVALANCHE A MULTI ETAGE DE FAIBLE BRUIT
Abstract: front page image
(EN)Devices constructed according to the present invention provide low noise avalanche photodetectors. The devices are comprised of a sequence of at least four layers (10, 11, 12, 13) of semiconductor material of alternating opposed conductivity. In a first embodiment, the layers form alternating homojunctions and heterojunctions at the interface between adjacent layers, and the bandgap of the layers on either side of the homojunctions decreases in the direction of the propagating signal. In other embodiment, the layers form heterojunctions at the interfaces between adjacent layers; the layers are grouped into a sequence of pairs of layers where the bandgap of the two layers in each pair are substantially equal; and the bandgap of the layers in the sequence of pairs of layers decreases in the direction of the propagating signal. The effect of the structure of the multilayer device is to create traps for one sign of carrier and to prevent the trapped carrier from avalanching through amplification regions of the device.
(FR)Dispositif photodetecteur a avalanche de faible bruit. Les dispositifs comprennent une serie d"au moins quatre couches (10, 11, 12, 13) d"un materiau semi-conducteur de conductivites alternativement opposees. Dans un premier mode de realisation, les couches forment des homojonctions et des heterojonctions alternees au niveau de l"interface entre les couches adjacentes, et l"espace des bandes des couches de chaque cote des homojonctions decroit en direction du signal de propagation. Dans un autre mode de realisation, les couches forment des heterojonctions aux interfaces entre les couches adjacentes; les couches sont groupees en une serie de paires de couches ou les espaces de bande des deux couches dans chaque paire sont sensiblement egaux; et l"espace des bandes des couches dans la serie de paires de couches decroit dans la direction du signal de propagation. L"effet de la structure du dispositif multicouche est de creer des pieges pour un transporteur et d"empecher le transporteur emprisonne d"etre soumis a une avalanche au travers des regions d"amplification du dispositif.
Designated States:
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)