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1. (WO1979000776) AMORPHOUS SEMICONDUCTORS EQUIVALENT TO CRYSTALLINE SEMICONDUCTORS
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1979/000776    International Application No.:    PCT/US1979/000182
Publication Date: 18.10.1979 International Filing Date: 12.03.1979
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), H01L 29/04 (2006.01), H01L 31/20 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
887353 16.03.1978 US
Title (EN) AMORPHOUS SEMICONDUCTORS EQUIVALENT TO CRYSTALLINE SEMICONDUCTORS
(FR) SEMICONDUCTEURS AMORPHES EQUIVALENTS A DES SEMI-CONDUCTEURS CRISTALLINS
Abstract: front page image
(EN)A method of making an amorphous semiconductor film or the like having desirable photoconductive and/or other properties comprises depositing on a substrate (18, 25, 50, 65, 75, 88), a solid amorphous semiconductor film (51, 66, 76, 88), by glow discharge decomposition (11, 14, 23) of compound (34) in an atmosphere separately containing at least one alterant element (34), wherein a plurality of different alterant elements are incorporated in said amorphous semiconductor film during the deposition thereof yielding an altered amorphous semiconductor material having reduced density of localized states in the energy gap thereof so that greatly increased diffusion lengths for solar cell application are obtained and modifiers or dopants (34) can be effectively added to produce p-type or n-type amorphous semiconductor films so that the films function like similar crystalline semiconductors.
(FR)Une methode de fabrication d"un film semi-conducteur amorphe ou semblable ayant une photoconductivite voulue et/ou d"autres proprietes consiste a deposer sur un substrat (18, 25, 50, 65, 75, 85) un film semi-conducteur amorphe solide (51, 66, 76, 88) par decomposition a decharge luminescente (11, 14, 23) d"un compose (34) dans une atmosphere contenant separement au moins un element alterant (34), methode dans laquelle une pluralite d"elements alterants differents sont incorpores dans ledit film semi-conducteur amorphe pendant la phase de depot, produisant un materiau semi-conducteur amorphe altere ayant une densite reduite d"etats localises dans son ecart energetique entre deux bandes de sorte que l"on obtient des longueurs de diffusion nettement plus grandes applicables aux cellules solaires et des modificateurs ou agents de dopage (34) peuvent etre ajoutes pour produire des films semi-conducteurs amorphes de type p ou de type n de facon telle que les films fonctionnent comme des semiconducteurs cristallins.
Designated States:
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)