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1. (WO1979000302) SEMICONDUCTOR DEVICE
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SB 求 の

1. セラミック基体( 1 0 1 ) のほぼ中央部に穿設 した貫通孔内に半導体素子 ( 1 0 2 ) を有する半導体

において、 上記貫通孔の—方の開口 を覆つて セラ ミ ック基体( 1 0 1 ) の一主面に、 柔軟性金属板

0 9 ) とモリブデン板( 1 1 1 ) を 体化 し た高熱伝導性金属板 ( 1 0 0 ) を固着 しヽ _t 'PL半導体 素子 ( 1 0 2 ) を上記高熱伝導性金属板 ( 1 o 0 ) の ―面 と上記セ ラミック基体( 1 0 1 ) の _h 己 ¼通孔に よ つて形成された凹所底部に他のモ リブデン板 (110) を介 して固着 し、上記高熱伝導性金属板 ( 1 o 0 ) の 他面に放熱装置 ( 1 0 7 , 1 0 8 ) を結合し、又上記 セ ラミック基体( 1 0 1 :) の他の主面に設けた外部接

子 ( 1 0 4 , 1 0 4 a , 1 0 4 b , 1 0 4

1 0 4 d ) を上記半導体素子 ( 1 0 2 ) のワイヤボン ディ ング · ハ。ッドに接続したことを特徵とする半導体

2. 上記貫通孔をほぼ四角形に形成 し、 かつ四角形 孔の各隅部に丸味をつけた請求の範囲第 1 項記載の装

3. 上記放熱装置 ( 1 0 7 , 1 0 8 ) が同心状に配

BX した放熱フ ィン( 1 0 8 ) を一体形成した放熱用ス タ ッド( 1 0 7 ) を含んだ請求の範囲第 1 項記載の装

4. 上記柔軟性金属板 ( 1 0 9 ) が無酸素銅板を含

んだ請求の範囲第 1 項記載の装置 OMPI