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1. (WO1979000178) PROCESS AND INSTALLATION FOR PRODUCING SILICON CARBIDE WITH A VERY HIGH PURITY
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/1979/000178    International Application No.:    PCT/EP1978/000016
Publication Date: 05.04.1979 International Filing Date: 04.10.1978
IPC:
C01B 31/36 (2006.01), C04B 35/571 (2006.01)
Applicants:
Inventors:
Priority Data:
2744636 04.10.1977 DE
Title (EN) PROCESS AND INSTALLATION FOR PRODUCING SILICON CARBIDE WITH A VERY HIGH PURITY
(FR) PROCEDE ET INSTALLATION POUR LA FABRICATION DE CARBURE DE SILICIUM DE TRES HAUTE PURETE
Abstract: front page image
(EN)Very high purity powder of silicon carbide in the submicronic field, which can be used as sintering material for producing shaped articles. The preparation of this silicon carbide powder can be done by passage of alkylsilanes in gaseous phase and chemical scission of the alkylsilane at high temperature. Such a process is carried out in particular by passage of the alkylsilanes through a flow reactor; during this passage the gasified alkylsilane is heated up to a temperature range comprised between 450 C and the temperature produced in a plasma burner, so as to obtain the thermal scission, the pulverulent product thus obtained is then collected in a precipitation chamber. An apparatus allowing to obtain the silicon carbide powder comprises: a graphite conduit (1) with conical inlet surrounded by a thermal insulator, a cooling system (5) arranged at the end of the graphite conduit, a water-cooled device allowing to introduce the gas current through a central injector and a circular injector (6) and a device for precipitation of the power (7).
(FR)Poudre de tres haute purete de carbure de silicium du domaine submicronique, qui peut etre utilisee comme materiel de frittage pour la production d"articles faconnes. La preparation de cette poudre de carbure de silicum peut se realiser par passage d"alcoylsilanes en phase gazeuse et scission chimique de l"alcoylsilane a haute temperature. Un tel procede s"effectue en particulier par passage des alcoylsilanes a travers un reacteur a ecoulement; lors de ce passage l"alcoylsilane gazeifie est chauffe jusqu"a un domaine de temperature compris entre 450 C et la temperature telle qu"elle se produit dans un bruleur a plasma, pour obtenir ainsi la scission thermique, le produit pulverulent obtenu est ensuite collecte dans une chambre de precipitation. Un appareillage permettant d"obtenir la poudre de carbure de silicium comprend: une conduite en graphite (1) avec entree conique et qui est entouree d"un isolant thermique, un dispositif de refroidissement (5) dispose a l"extremite de la conduite en graphite, un dispositif refroidi a l"eau permettant d"introduire le courant gazeux par un injecteur central et un injecteur circulaire (6) et un dispositif de precipitation de la poudre (7).
Designated States:
Publication Language: German (DE)
Filing Language: German (DE)