(EN) FIELD: physics.
SUBSTANCE: invention relates to field-effect transistors and image display devices. Field transistor includes a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an active layer which is formed between the source electrode and the drain electrode, and insulating layer of gate, which is formed between gate electrode and active layer, active layer includes at least two types of oxide semiconductor layers, including layer A and layer B, wherein active layer includes three or more oxide semiconductor layers, including two or more layers A, and wherein active layer is multilayer structure of ABA from three layers, which represent layer A, layer B and layer A, arranged one above the other in this order, one of layers A is in contact with insulating layer of gate, and other of layers A is in contact with source electrode and drain electrode.
EFFECT: invention discloses a field transistor, a display element, an image display device and a system.
18 cl, 13 dwg, 2 tbl
(RU) Изобретение относится к полевым транзисторам и устройствам отображения изображения. Полевой транзистор включает в себя электрод затвора, электрод истока и электрод стока, активный слой, который сформирован между электродом истока и электродом стока, и изолирующий слой затвора, который сформирован между электродом затвора и активным слоем, активный слой включает в себя по меньшей мере два вида оксидных полупроводниковых слоев, в том числе слой A и слой B, причем активный слой включает в себя три или более оксидных полупроводниковых слоев, в том числе два или более слоев A, и при этом активный слой является многослойной структурой АВА из трех слоев, которые представляют собой слой А, слой В и слой А, размещенные друг над другом в этом порядке, один из слоев А находится в контакте с изолирующим слоем затвора, и другой из слоев А находится в контакте с электродом истока и электродом стока. 4 н. и 14 з.п. ф-лы, 13 ил., 2 табл.
