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1. (WO2014120001) MANUFACTURING A SUBMICRON STRUCTURE USING A LIQUID PRECURSOR
Latest bibliographic data on file with the International Bureau   

Pub. No.:    WO/2014/120001    International Application No.:    PCT/NL2014/050045
Publication Date: 07.08.2014 International Filing Date: 28.01.2014
IPC:
H01L 27/12 (2006.01)
Applicants: TECHNISCHE UNIVERSITEIT DELFT [NL/NL]; Stevinweg 1 NL-2628 CN Delft (NL)
Inventors: ISHIHARA, Ryoichi; (NL).
VAN DER ZWAN, Michiel; (NL).
TRIFUNOVIC, Miki; (NL)
Agent: DE VRIES & METMAN; Overschiestraat 180 NL-1062 XK Amsterdam (NL)
Priority Data:
2010199 29.01.2013 NL
Title (EN) MANUFACTURING A SUBMICRON STRUCTURE USING A LIQUID PRECURSOR
(FR) FABRICATION D'UNE STRUCTURE SUBMICRONIQUE EN UTILISANT UN PRÉCURSEUR LIQUIDE
Abstract: front page image
(EN)Methods for manufacture of a submicron semiconductor structure on a substrate are described. The method may comprise: forming at least one template layer over a support substrate; forming one or more template structures, preferably one or more recesses and/or mesas, in said template layer, said one or more template structures comprising one or more edges extending into or out of the top surface of said template layer; coating at least part of said one or more template structures with a liquid semiconductor precursor, preferably a liquid silicon precursor; and, annealing and/or exposing said liquid semiconductor precursor coated template structures to light, wherein during said annealing and/or light exposure a part of said liquid semiconductor precursor accumulates by capillary forces against at least part of said one or more edges, said annealing and/or light exposure transforming said accumulated liquid semiconductor precursor into a submicron semiconductor structure extending along at least part of said one or more edges.
(FR)L'invention porte sur des procédés pour la fabrication d'une structure de semi-conducteur submicronique sur un substrat. Le procédé peut comprendre les étapes suivantes : la formation d'au moins une couche de modèle sur un substrat de support ; la formation d'une ou plusieurs structures de modèle, de préférence un ou plusieurs renfoncements et/ou mésas, dans ladite couche de modèle, ladite ou lesdites structures de modèle comprenant un ou plusieurs bords s'étendant à l'intérieur ou à l'extérieur de la surface supérieure de ladite couche de modèle ; l'enrobage d'au moins une partie de ladite ou desdites structures de modèle avec un précurseur de semi-conducteur liquide, de préférence un précurseur de silicium liquide ; et, le recuit et/ou l'exposition desdites structures de modèle enrobées par le précurseur de semi-conducteur liquide à une lumière, durant ledit recuit et/ou ladite exposition à une lumière une partie dudit précurseur de semi-conducteur liquide s'accumulant par forces capillaires contre au moins une partie dudit ou desdits bords, ledit recuit et/ou ladite exposition à une lumière transformant ledit précurseur de semi-conducteur liquide accumulé en une structure de semi-conducteur submicronique s'étendant le long d'au moins une partie dudit ou desdits bords.
Designated States: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Publication Language: English (EN)
Filing Language: English (EN)