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1. KR1020120066434 - METHOD FOR MANUFACTURING A SILVER NANO WIRE USING PLASMA SPUTTERING AND ANODIC ALUMINUM OXIDE

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[ KO ]
명 세 서
플라즈마 스퍼터링을 이용한 은 나노 와이어의 제조 방법{Method for manufacturing Ag nano-wire by using plasma sputtering}
기 술 분 야
 본 발명은 은 나노 와이어의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)과 플라즈마 스퍼터링(plasma sputtering)을 이용하여 은 나노 와이어를 제조하는 방법에 관한 것이다.
배 경 기 술
 나노(nano) 기술이란 10억분의 1을 의미하는 나노 미터 크기 수준의 정밀도를 요구하는 극미세 가공 과학 기술을 말한다.
 나노 기술은 나노미터 크기의 범주에서 조작?분석하고 이를 제어함으로써 새롭거나 개선된 물리적?화학적?생물학적 특성을 나타내는 소재, 소자 또는 시스템을 만들어 내는 기술이다.
 특히 1차원 구조(one dimensional nanostructure)를 갖는 나노 소재는 특이한 양자(quantum) 특성을 보이기 때문에 광범위한 응용 가능성이 있어 최근 세계적으로 관련 기술의 연구 개발이 활발하게 이루어지고 있다.
 한편, 나노 입자는 그 형태에 따라 속이 비어 있는 나노 크기의 튜브인 나노 튜브(nano-tube), 막대 형상의 나노 로드(nano-rod), 나노 로드와 달리 성장 방향이 일정하지 않은 나노 와이어(nano-wire), 나노 로드와 같이 성장 방향이 일정하나 단부로 갈수록 가늘어지는 나노 니들(nano-neddle), 그리고 나노 크기의 분말인 나노 파우더(nano-powder) 등의 형태로 나뉜다.
 이러한 나노 단위의 입자 소재로서 최근 다양한 분야로의 응용되고 있는 것이 은 나노 입자이다.
 은 나노 입자는 인체에 비교적 무해하고, 살균과 유해 성분 제거 및 탈취 등의 효과로 인하여 다양한 분야에 은 나노 입자가 이용되고 있다.
 이러한 은 나노 입자 중 막대 형상이지만 그 성장 방향이 일정하지 않은 은 나노 와이어를 제조하는 종래의 방법에 대해 살펴본다.
 종래의 은 나노 와이어의 제조 방법 중 먼저 질산 은(AgNO3: Silver nitrate)과 에탄올 등의 용매 및 이들의 열처리를 통해 합성하는 방법이 있다.
 그러나 이러한 은 나노 와이어의 제조 방법은 제조된 은 나노 와이어의 크기가 매우 불균일하게 합성되는 문제점이 있다.
 종래의 은 나노 와이어를 제조하는 다른 방법으로서 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)을 이용하는 방법도 있다.
 종래의 알루미늄 양극 산화물을 이용하는 방법은 액상의 질산 은을 알루미늄 양극 산화물에 떨어뜨리거나 혹은 침지시켜 자연적으로 인입되게 한 후 열처리(calcination)한 다음 알루미늄 양극 산화물을 제거하여 은 나노 와이어를 회수함으로써 은 나노 와이어를 제조하는 방법이다.
 그러나 이러한 방법의 경우, 은 나노 와이어의 품질은 질산 은의 농도와 열처리 조건에 매우 민감하게 좌우되므로 재현성에 문제점이 있다.
 알루미늄 양극 산화물을 이용하여 은 나노 와이어를 제조하는 종래의 또 다른 방법으로서 전기 증착(electrodeposition)을 이용하여 알루미늄 양극 산화물에 은 입자를 인입시키는 것으로서 전기 증착은 정전류 증착법, 정전압 증착법, 교류 전류 증착법, 펄스 증착법, 순환 전압 전류법(cyclic voltammetry) 등이 널리 사용되고 있다.
 그러나 이러한 전기 증착을 이용한 방법의 경우 공정 변수 제어가 매우 까다롭고, 알루미늄 양극 산화물에 충진을 잘 시키기 위해서는 알루미늄 양극 산화물에 180nm 내지 400nm 크기 이상의 기공 크기가 요구되므로, 이러한 기공의 크기 증가로 생성된 은 나노 와이어의 크기도 증가되어 이용될 수 있는 분야가 제한되는 문제점이 있다.
발명의 내용
   해결하려는 과제
 상기한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 보다 균일하고 은 나노 와이어의 제조가 보다 간단하여 공정 조건에 영향을 크게 받지 않는 나노 와이어의 제조 방법을 제안하는 것이다.
 보다 작은 크기를 가지는 은 나노 와이어를 제조할 수 있으며, 따라서 은 나노 와이어가 이용될 수 있는 분야가 제한되지 않는 은 나노 와이어의 제조 방법을 제안하는 것이다.
 본 발명의 또 다른 목적들은 이하의 실시예에 대한 설명을 통해 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
   과제의 해결 수단
 상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 측면에 따르면 은 나노 와이어의 제조 방법이 제공된다.
 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따르면, 은 나노 와이어(Ag nano-wire)의 제조 방법에 있어서, 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)에 은을 스퍼터 타겟(sputter target)으로 하여 플라즈마 스퍼터링(plasma sputtering)을 수행하는 단계; 상기 은을 스퍼터 타겟으로 하여 플라즈마 스퍼터링을 수행한 알루미늄 양극 산화물을 열처리하는 단계; 및 상기 열처리된 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법이 제공된다.
 상기 알루미늄 양극 산화물은 템플릿(template)의 형태로 형성될 수 있다.
 상기 알루미늄 양극 산화물은, 알루미늄의 유기 물질을 제거한 후, 아세톤에 침지하여 초음파 세척을 하고, 초순수(DeIonize water)로 세정한 후 건조시키는 단계; 상기 건조된 알루미늄을 0.3몰(M: mole) 옥살산에 침지하여 0℃에서 40V의 정전압을 인가하는 1차 양극 산화 반응을 수행하는 단계; 상기 1차 양극 산화 반응을 수행한 알루미늄을 크롬산 용액에 40℃ 내지 50℃ 에서 6시간 이상 침지하는 단계; 및 상기 침지되었던 알루미늄을 옥살산에 침지하여 0℃에서 40V의 정전압을 인가하는 2차 양극 산화 반응을 수행하는 단계를 수행하여 생성되는 알루미늄 양극 산화물일 수 있다.
 상기 은을 스퍼터 타겟으로 하여 플라즈마 스퍼터링을 수행하는 단계는 20mA의 전류를 인가한 상태에서 10분 내지 60분 동안 수행될 수 있다.
 상기 은을 스퍼터 타겟으로 하여 플라즈마 스퍼터링을 수행한 알루미늄 양극 산화물을 열처리하는 단계는, 500 내지 600 ℃에서 1 내지 6시간의 범위에서 수행될 수 있다.
 상기 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계는, 크롬산 9g, 인산 30ml, 초순수 500ml가 혼합된 60°C의 용액에 5 내지 24시간 동안 상기 알루미늄 양극 산화물을 침지하여 수행될 수 있다.
 상기 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 수행한 후, 상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 와이어를 회수하는 단계를 더 수행할 수 있다.
 그리고 상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 와이어를 회수하는 단계는, 상기 용해된 알루미늄 양극 산화물을 거름종이에 거르고 건조시키는 과정을 반복 수행하여 이루어질 수 있다.
   발명의 효과
 이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 은 나노 와이어의 제조 방법에 의하면, 보다 균일한 크기의 은 나노 와이어를 제조할 수 있고, 또한, 은 나노 와이어의 제조 조건에 영향을 최소로 받는 장점이 있다.
 그리고 보다 작은 크기를 가지는 은 나노 와이어를 제조할 수 있으며, 따라서 은 나노 와이어가 이용될 수 있는 분야가 제한되지 않는 장점이 있다.
도면의 간단한 설명
 도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법이 이루어지는 순서를 도시한 순서도.
도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물에 은을 플라즈마 스퍼터링한 후 열 처리를 수행하기 전 알루미늄 양극 산화물의 평면을 전자 현미경으로 촬상한 도면.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물에 은을 플라즈마 스퍼터링한 후 열 처리를 수행하기 전 알루미늄 양극 산화물의 평면과 단면을 전자 현미경으로 촬상한 도면.
도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물에 은을 플라즈마 스퍼터링한 후 열 처리를 수행한 후 알루미늄 양극 산화물의 단면을 전자 현미경으로 촬상한 도면.
발명을 실시하기 위한 구체적인 내용
 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.
 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.
 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다.
 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다.
 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
 이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
 먼저 도 1을 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법이 이루어지는 순서를 살펴보기로 한다.
 도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법이 이루어지는 순서를 도시한 순서도이다.
 도 1에 도시된 바와 같이 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법은 먼저 나노 크기의 미세공을 가지는 알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)을 제조한다(S100).
 본 발명에 의한 은 나노 와이어의 제조를 위해 이용되는 나노 크기의 미세공을 가지는 알루미늄 양극 산화물은 자기적으로 정렬된 알루미늄 양극 산화물이다.
 또한, 본 발명에 이용되는 알루미늄 양극 산화물은 바람직하게는 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 양극 산화물의 얇은 판의 형상을 가지는 템플릿(template)일 수 있다.
 그리고 이러한 자기적으로 정렬된 나노 크기의 미세공을 가지는 알루미늄 양극 산화물의 제조는 크게 알루미늄의 전처리 단계, 1차 양극 산화 반응 단계, 산화막 제거 단계 및 2차 양극 산화 반응 단계의 과정을 통해 이루어질 수 있다.
 먼저 알루미늄의 전처리 단계는 알루미늄에서 유기물질을 제거한 후, 아세톤에 침지하여 5 내지 30분간 초음파 세척을 한 후 탈이온수로 세정하여 이루어진다.
 다음으로 1차 양극 산화 반응 단계는 알루미늄과 반대 전극의 금속 및 전해질을 이용하여 수행되며, 전해질은 바람직하게는 0.3M(몰: mole) 옥산살일 수 있다.
 그리고 이러한 전해액에 알루미늄을 침적시켜 정전압 40V을 인가시킨 상태에서 반응으로 생긴 열을 발산시키기 위해 외부 혹은 내부에서 교반 장치를 통해 교반시킬 수 있다.
 이러한 1차 양극 산화 반응 단계는 바람직하게는 0℃의 범위에서 이루어질 수 있다.
 이러한 1차 양극 산화 반응 단계를 수행하면 자기 정렬된 다공성 알루미늄 산화물이 생성된다.
 다음으로 나노 기공의 정렬도와 형상 균일도를 최적화시키기 위해 이러한 1차 양극 산화시 생성된 산화 알루미늄인 알루미나의 산화막 제거 단계를 수행한다.
 알루미나의 산화막 제거는 크롬산 용액에 침지시키며, 이때 온도는 40 내지 50℃, 처리시간은 6 시간 이상의 범위에서 수행되는 것이 바람직하다.
 한편, 알루미나의 산화막 제거가 완료되면, 1차 양극 산화 반응과 동일한 조건으로 2차 양극 산화 반응을 실시한다.
 이러한 2차 양극 산화 반응의 실시가 완료되면, 알루미늄 양극 산화물의 나노 크기의 다공이 더욱 균일하게 되며, 다공의 정렬도와 자기적 정렬도가 우수한 알루미늄 양극 산화물이 제조되게 된다.
 이러한 방법으로 제조된 알루미늄 양극 산화물은 기공의 크기가 매우 균일하며 처리 시간과 기타 공정 조건을 조절하여 기공의 크기를 제어할 수 있는 이점이 있게 된다.
 한편, 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 양극 산화물의 템플릿(template)의 제조는 이러한 방법에 제한되는 것은 아니며, 나노 크기의 다공을 가지는 알루미늄 양극 산화물을 제조할 수 있는 방법이라면 아무런 제한이 없다.
 이렇게 제조된 나노 크기의 다공을 가지며 자기적으로 정렬된 알루미늄 양극 산화물의 나노 크기의 다공에 플라즈마 스퍼터링으로 은 나노 입자가 인입되도록 한다(S102).
 스퍼터링(sputtering)은 목적물 표면에 막의 형태로 부착하는 기술로서 세라믹이나 반도체 소재 등에 전자 회로를 만들기 위해 진공 상태에서 고체를 증발시켜 박막(thin film)이나 후막(thick film)을 형성하는 경우에 이용된다.
 이러한 스퍼터링은 전기 증착과 달리 진공 상태에서 이루어지며, 특히 플라즈마 스퍼터링(plasma sputtering)은 막으로 형성하고 하고자 하는 대상 금속 등을 플라즈마 상태로 만들어 진공 상태에서 증발시켜 박막 등을 형성하는 것이다.
 그리고 플라즈마 스퍼터링은 플라즈마 진공 증착, 플라즈마 진공 증착 코팅 등의 다양한 용어로 불리우나, 본 명세서에서는 플라즈마 스퍼터링으로 통일하여 명칭하기로 한다.
 한편, 알루미늄 양극 산화물에 플라즈마 스퍼터링으로 은 나노 입자가 인입되도록 하는 과정을 자세하게 살펴보면, 먼저 전술한 바와 같이 나노 크기의 다공을 가지며 자기적으로 정렬된 알루미늄 양극 산화물을 플라즈마 스퍼터링을 수행하는 장치인 플라즈마 스퍼터 챔버(plasma sputter chamber)에 장착한다.
 그리고 스퍼터 타겟(sputter target)이 되는 은을 플라즈마 스퍼터 챔버에 위치하게 하여 플라즈마를 발생시키면서 진공 상태를 형성하면 스퍼터 타겟(sputter target)인 은 입자가 해리되며 플라즈마에 의해 가속되어 알루미늄 양극 산화물 방향으로 전진하여 충돌하는 스퍼터링이 진행된다.
 이런 과정을 통해 나노 크기의 은 입자가 다공성 알루미늄 양극 산화물의 나노 크기의 미세공에 인입된다.
 한편, 이러한 나노 크기의 은 입자가 알루미늄 양극 산화물의 미세공에 원활히 인입시키기 위해 플라즈마 스퍼터링 조건은 20mA의 전류를 인가한 상태에서 10분~60분간 유지시키는 것이 바람직하나 이에 한정되는 것은 아니다.
 이러한 플라즈마 스퍼터링의 과정이 완료되면 나노 크기의 은이 미세공으로 인입된 알루미늄 양극 산화물을 가열한다(S104).
 나노 크기의 은이 인입된 알루미늄 양극 산화물의 가열 즉 열처리는 바람직하게는 500 내지 600 ℃의 온도 범위에서 1 내지 6시간의 범위 내에서 수행될 수 있다.
 이러한 열처 과정을 통해 은 나노 입자들이 서로 연결되면서 은 나노 와이어가 생성된다.
 한편, 알루미늄 양극 산화물의 가열이 완료되면 알루미늄 양극 산화물을 용해하여, 은 나노 와이어를 회수한다(S106).
 먼저 알루미늄 양극 산화물의 용해는 바람직하게는 크롬산 9g, 인산 30ml, 초순수 500ml가 혼합된 용액을 60°C로 가열 유지하여 5 내지 24시간의 범위에서 알루미늄 양극 산화물의 두께에 따라 적정 시간 동안 침지하여 이루어질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
 그리고 용해된 알루미늄 양극 산화물에서 은 나노 와이어만을 회수하는 방법으로서는 가열한 후 알루미늄 양극 산화물을 용해시킨 후 통상의 화학 실험용 거름종이에 수 차례 거르고 건조시키는 과정을 반복함으로서 회수할 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
 이러한 은 나노 잉크와 알루미늄 양극 산화물을 이용하여 은 나노 와이어를 제조하는 경우 보다 간단하고 단순한 공정을 통해 은 나노 와이어를 제조하는 것이 가능하게 된다.
 특히 현재 기성품 등으로 널리 사용되고 있는 은 나노 잉크를 이용함으로써 보다 손쉽게 은 나노 와이어를 제조할 수 있고, 종래와 같이 복잡하고 민감한 처리 조건이 아닌 조건에서도 은 나노 와이어를 제조할 수 있게 된다.
 이하에서는 도 2 내지 도 4를 참조하여 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법에 의해 제조되는 은 나노 와이어의 형상에 대해 살펴보기로 한다.
 먼저 도 2는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물에 은을 플라즈마 스퍼터링한 후 열 처리를 수행하기 전 알루미늄 양극 산화물의 평면을 전자 현미경으로 촬상한 도면이고, 도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물에 은을 플라즈마 스퍼터링한 후 열 처리를 수행하기 전 알루미늄 양극 산화물의 평면과 단면을 전자 현미경으로 촬상한 도면이다.
 도 2의 전자 현미경으로 촬상한 도면에도 나타나는 바와 같이 본 발명에 이용되는 알루미늄 양극 산화물은 미세한 다공(220)을 가진다.
 이러한 알루미늄 양극 산화물에 은을 스퍼터 타겟으로 하여 플라즈마 스퍼터링을 수행하면 나노 단위의 크기의 은 나노 입자들(210)이 알루미늄 양극 산화물의 미세한 다공(220)에 인입되게 된다.
 나노 단위의 크기의 은 나노 입자들(210)이 알루미늄 양극 산화물의 미세한 다공(220)에 인입되어 있음은 도 3의 전자 현미경으로 촬상한 도면에 나타나는 바와 같다.
 한편, 알루미늄 양극 산화물의 미세한 다공(220)의 경우 일반적으로 70nm 정도의 크기를 가지는데 비해 플라즈마 스퍼터링에 의해 인입되는 은 나노 입자(210)는 70nm 이하의 크기를 가지므로 도 2와 도3에 도시된 바와 같이 알루미늄 양극 산화물을 열처리하기 전에는 알루미늄 양극 산화물의 미세한 다공(220)의 크기보다 작은 70nm 이하의 크기의 은 나노 입자들(210)이 존재하게 된다.
 이러한 상태에서 열처리를 수행하여 은 나노 와이어가 형성된 것을 도 4를 참조하여 살펴본다.
 도 4는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 은 나노 와이어의 제조 방법에 따라 알루미늄 양극 산화물에 은을 플라즈마 스퍼터링한 후 열 처리를 수행한 후 알루미늄 양극 산화물의 단면을 전자 현미경으로 촬상한 도면이다.
 도 4에 도시된 바와 같이 알루미늄 양극 산화물의 미세한 다공(220)의 크기보다 작은 70nm 이하의 크기를 가지는 은 나노 입자들(210)이 서로 연결되어 은 나노 와이어(200)를 형성하게 된다.
 따라서 이렇게 형성되는 은 나노 와이어(200)의 경우 알루미늄 양극 산화물의 미세공(220)의 크기인 70nm 이하의 크기를 가지게 된다.
 그리고 일반적으로 은 나노 와이어의 경우에도 막대 형상을 띠게 되나 은 나노 로드와 달리 성장 방향이 일정하지 않으며, 본 발명에 의해 형성되는 은 나노 와이어가 이러한 성장 방향이 일정하지 않은 은 나노 와이어로 제조될 수 있는 것은 알루미늄 양극 산화물이 자기적으로 정렬되어 있고, 또한, 은 나노 입자가 플라즈마 스퍼터링에 의해 알루미늄 양극 산화물에 전진 충돌하면서 인입되기 때문이다.
 따라서 본 발명에 의한 은 나노 와이어의 제조 방법에 의하면 알루미늄 양극 산화물의 미세공의 크기인 약 70nm의 크기를 가지는 다수의 은 나노 와이어를 용이하게 제조할 수 있다.
 그리고 알루미늄 양극 산화물의 미세공에 의해 은 나노 와이어가 형성되므로 은 나노 와이어가 보다 균일하게 형성될 수 있다.
 또한, 기존에 박막 형성 등에 널리 사용되던 플라즈마 스퍼터링과 알루미늄 양극 산화물을 이용한 열처리를 통해 은 나노 와이어를 형성하게 되므로 은 나노 와이어의 제조를 위한 제조 조건에 따라 은 나노 와이어의 형성이 크게 영향을 받지 않게 된다.
 상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대해 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
부호의 설명
 200: 은 나노 입자 210: 은 나노 와이어
220: 알루미늄 양극 산화물의 미세공