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1. KR1020120066434 - METHOD FOR MANUFACTURING A SILVER NANO WIRE USING PLASMA SPUTTERING AND ANODIC ALUMINUM OXIDE

Note: Text based on automatic Optical Character Recognition processes. Please use the PDF version for legal matters

[ KO ]
청구의 범위
청구항 1
은 나노 와이어(Ag nano-wire)의 제조 방법에 있어서,
알루미늄 양극 산화물(AA0: Anodic Aluminum Oxide)에 은을 스퍼터 타겟(sputter target)으로 하여 플라즈마 스퍼터링(plasma sputtering)을 수행하는 단계;
상기 은을 스퍼터 타겟으로 하여 플라즈마 스퍼터링을 수행한 알루미늄 양극 산화물을 열처리하는 단계; 및
상기 열처리된 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
청구항 2
제1항에 있어서,
상기 알루미늄 양극 산화물은 템플릿(template)의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
청구항 3
제1항에 있어서,
상기 알루미늄 양극 산화물은,
알루미늄의 유기 물질을 제거한 후, 아세톤에 침지하여 초음파 세척을 하고, 초순수(DeIonize water)로 세정한 후 건조시키는 단계;
상기 건조된 알루미늄을 0.3몰(M: mole) 옥살산에 침지하여 0℃에서 40V의 정전압을 인가하는 1차 양극 산화 반응을 수행하는 단계;
상기 1차 양극 산화 반응을 수행한 알루미늄을 크롬산 용액에 40℃ 내지 50℃ 에서 6시간 이상 침지하는 단계; 및
상기 침지되었던 알루미늄을 옥살산에 침지하여 0℃에서 40V의 정전압을 인가하는 2차 양극 산화 반응을 수행하는 단계를 수행하여 생성되는 알루미늄 양극 산화물인 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
청구항 4
제1항에 있어서,
상기 은을 스퍼터 타겟으로 하여 플라즈마 스퍼터링을 수행하는 단계는 20mA의 전류를 인가한 상태에서 10분 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
청구항 5
제1항에 있어서,
상기 은을 스퍼터 타겟으로 하여 플라즈마 스퍼터링을 수행한 알루미늄 양극 산화물을 열처리하는 단계는, 500 내지 600 ℃에서 1 내지 6시간의 범위에서 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
청구항 6
제1항에 있어서,
상기 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계는,
크롬산 9g, 인산 30ml, 초순수 500ml가 혼합된 60°C의 용액에 5 내지 24시간 동안 상기 알루미늄 양극 산화물을 침지하여 수행되는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
청구항 7
제1항에 있어서,
상기 열처리된 상기 알루미늄 양극 산화물을 용해하는 단계를 수행한 후,
상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 와이어를 회수하는 단계를 더 수행하는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.
청구항 8
제7항에 있어서,
상기 용해된 알루미늄 양극 산화물로부터 은 나노 와이어를 회수하는 단계는,
상기 용해된 알루미늄 양극 산화물을 거름종이에 거르고 건조시키는 과정을 반복 수행하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 은 나노 와이어의 제조 방법.