(EN) A semiconductor wafer processing system (40) including a factory interface (26) operating at atmospheric pressure and mounting plural wafer cassettes and further including plural wafer processing chambers (42, 44) mounted on a frame (16) and connected to the factory interface through respective slit valves. A robot in the factory interface can transfer wafers (32) between the cassettes and the processing chambers. At least one of the processing chambers can operate at reduced pressure and is pumped by a vacuum pump (46) mounted on the frame. The processing chamber may be a rapid thermal processing chamber (52) including an array of lamps (66) irradiating a processing volume (100) through a window (60). The lamphead is vacuum pumped to a pressure approximating that in the processing volume. A multi-step process may be performed with different pressures. The invention also includes a wafer access port (202) of a thermal processing chamber which can flow (210) an inert gas in outside of the slit valve to thereby form a gas curtain outside of the opened slit (206) to prevent the out flow of toxic processing gases. ©KIPO&WIPO 2008
(KO) 반도체 웨이퍼 처리 시스템(40)은 대기압에서 작동하고 복수의 웨이퍼 카세트가 장착되는 팩토리 인터페이스(26) 및 프레임(16) 상에 장착되고 각각의 슬릿 밸브를 통해 팩토리 인터페이스에 연결되는 복수의 웨이퍼 처리 챔버(42,44)를 포함한다. 팩토리 인터페이스 내의 로봇은 카세트와 처리 챔버 사이로 웨이퍼(26)를 이송할 수 있다. 적어도 하나의 처리 챔버는 감소된 압력 하에서 작동할 있고 프레임 상에 장착된 진공 펌프(46)에 의해 펌핑된다. 처리 챔버는 윈도우(60)를 통해 처리 공간(100)을 조사하는 램프(66) 열을 포함하는 급속 열 처리 챔버(52)일 수 있다. 램프 헤드는 처리 공간 내의 압력과 유사한 압력으로 진공 펌핑된다. 다단계 처리 공정이 상이한 압력에서 수행될 수 있다. 본 발명은 또한 슬릿 밸브의 외측으로 불활성 가스를 유동(210)시킬 수 있는 열 처리 챔버의 웨이퍼 접근 포트(202)를 포함함으로써 독성 처리 가스의 외측 흐름을 방지하기 위한 개방된 슬릿(206) 외측으로의 가스 커튼을 형성한다.
