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1. KR1020200063672 - 잉곳 성장장치

Office Republic of Korea
Application Number 1020180149676
Application Date 28.11.2018
Publication Number 1020200063672
Publication Date 05.06.2020
Publication Kind A
IPC
C30B 15/30
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
CPC
C30B 15/30
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
30Mechanisms for rotating or moving either the melt or the crystal
C30B 29/06
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
02Elements
06Silicon
Applicants 웅진에너지 주식회사
일신테크(주)
Inventors 배준영
이동근
오대균
이신형
박승빈
남우석
박재창
신종진
백성선
Agents 특허법인이룸리온
Title
(KO) 잉곳 성장장치
Abstract
(KO)
생산되는 잉곳의 길이가 길어짐에도 불구하고 케이블의 궤도 값을 작게 유지할 수 있는 잉곳 성장장치가 개시된다. 본 발명에 의한 잉곳 성장장치는 내부에 도가니를 구비한 챔버에서 잉곳을 성장시키기 위하여 상부로부터 케이블을 회전시키면서 승강시키는 인상 구동부를 포함하는 잉곳 성장장치에 있어서, 상기 인상 구동부에서 상기 케이블의 전후좌우 방향의 움직임을 제한하도록 상기 케이블에 밀착되는 제1가이드; 상기 인상 구동부에서 상기 제1가이드로부터 하측 방향으로 이격된 위치에서 상기 케이블의 전후좌우 방향의 움직임을 제한하도록 상기 케이블에 밀착되는 제2가이드; 및 상기 제1가이드는 상단에 장착 고정되고 상기 제2가이드는 하단에 장착 고정되며, 상기 제1가이드와 제2가이드를 지지하도록 상기 인상 구동부에 설치된 가이드 하우징;을 포함한다.

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