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1. (KR1020180087420) SiN층 및 Si층을 갖는 기판용 웨트에칭 조성물 및 이것을 이용한 웨트에칭방법

Office : Republic of Korea
Application Number: 1020187020056 Application Date: 22.09.2017
Publication Number: 1020180087420 Publication Date: 01.08.2018
Grant Number: 1019833510000 Grant Date: 28.05.2019
Publication Kind : B1
Prior PCT appl.: Application Number: ; Publication Number:WO2018123166 Click to see the data
IPC:
C09K 13/08
H01L 21/306
C CHEMISTRY; METALLURGY
09
DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
K
MATERIALS FOR APPLICATIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
13
Etching, surface-brightening or pickling compositions
04
containing an inorganic acid
08
containing a fluorine compound
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02
Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04
the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer, carrier concentration layer
18
the devices having semiconductor bodies comprising elements of the fourth group of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30
Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20-H01L21/26142
302
to change the physical characteristics of their surfaces, or to change their shape, e.g. etching, polishing, cutting
306
Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
CPC:
C09K 13/08
H01L 21/30604
Applicants: 미쯔비시 가스 케미칼 컴파니, 인코포레이티드
Inventors: 호리타, 아키노부
시마다, 켄지
타카하시, 켄이치
오이에, 토시유키
이토, 아야
Agents: 특허법인씨엔에스
Priority Data: JP-P-2016-250545 26.12.2016 JP
Title: (KO) SiN층 및 Si층을 갖는 기판용 웨트에칭 조성물 및 이것을 이용한 웨트에칭방법
Abstract:
(KO) 본 발명은, 불소 화합물(A)을 0.1~50질량%, 산화제(B)를 0.04~10질량%, 및 물(D)을 함유하고, pH가 2.0~5.0의 범위에 있는 SiN층 및 Si층을 갖는 기판용 웨트에칭 조성물에 관한 것이다. 또한 본 발명은, 이 웨트에칭 조성물을 이용하는, SiN층 및 Si층을 갖는 반도체 기판의 웨트에칭방법에 관한 것이다. 본 발명의 조성물을 이용함으로써, 사용시에 발생하는 휘발성분에 의한 장치나 배기라인의 부식 및 대기오염, 더 나아가 조성물 중의 질소분에 의한 환경부하를 경감하면서, SiN층 및 Si층을 갖는 기판에 대하여, SiN에 대한 Si의 제거선택성을 높일 수 있다.
Also published as:
CN108513679EP3389083US20190040317WO/2018/123166