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1. (KR1020180095499) 3차원 메모리 디바이스를 위한 관통-메모리-레벨 비아 구조물들

Office : Republic of Korea
Application Number: 1020187008077 Application Date: 27.09.2016
Publication Number: 1020180095499 Publication Date: 27.08.2018
Publication Kind : A
Prior PCT appl.: Application Number: ; Publication Number:WO2017112014 Click to see the data
IPC:
H01L 27/11556
H01L 21/768
H01L 23/522
H01L 27/11524
H01L 27/11529
H01L 27/1157
H01L 27/11573
H01L 27/11582
[IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid subgroup (0=>999999)!]
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21
Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70
Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in or on a common substrate or of specific parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of specific parts thereof
71
Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/7086
768
Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device
H ELECTRICITY
01
BASIC ELECTRIC ELEMENTS
L
SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23
Details of semiconductor or other solid state devices
52
Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another
522
including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
[IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid subgroup (0=>999999)!][IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid subgroup (0=>999999)!][IPC code unknown for H01L 27/1157][IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid subgroup (0=>999999)!][IPC code unknown for ERROR IPC Code incorrect: invalid subgroup (0=>999999)!]
Applicants: 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨
Inventors: 토야마, 푸미아키
미즈타니, 유키
오가와, 히로유키
푸리하타, 요코
유, 징신
카이, 제임스
리우, 진
알스마이어, 요한
Agents: 양영준
김연송
백만기
Priority Data: 15/268,946 19.09.2016 US
15/269,017 19.09.2016 US
15/269,041 19.09.2016 US
15/269,112 19.09.2016 US
15/269,294 19.09.2016 US
62/271,210 22.12.2015 US
Title: (KO) 3차원 메모리 디바이스를 위한 관통-메모리-레벨 비아 구조물들
Abstract: front page image
(KO) 3차원 NAND 메모리 디바이스는, 기판 상에 또는 기판 위에 배치된 워드라인 구동기 디바이스들, 워드라인 구동기 디바이스들 위에 위치한 워드라인들과 절연 층들의 교대 스택, 교대 스택을 통해 연장되는 복수의 메모리 스택 구조물 ―각각의 메모리 스택 구조물은 메모리 막과 수직 반도체 채널을 포함함―, 및 제1 메모리 블록 내의 워드라인들을 워드라인 구동기 디바이스들에 전기적으로 결합하는 관통-메모리-레벨 비아 구조물들을 포함한다. 관통-메모리-레벨 비아 구조물들은 제1 메모리 블록의 계단 영역과 또 다른 메모리 블록의 계단 영역 사이에 위치한 관통-메모리-레벨 비아 영역을 통해 연장된다.
Also published as:
CN108377660WO/2017/112014