(KO) 메모리 제어기는 3D 메모리 디바이스의 각자의 블록과 연관된 복수의 워드 라인들을 제1 구성으로 구성하고 - 여기서 제1 구성은 3D 메모리 디바이스의 기판에 대한 각각의 워드 라인의 수직 위치들에서 적어도 부분적으로 결정된 복수의 워드 라인들의 각각의 워드 라인에 대한 구성 파라미터 세트를 포함함 -, 복수의 워드 라인들이 제1 구성으로 구성되어 있는 동안, 각자의 블록에 데이터를 쓰고 각자의 블록으로부터 데이터를 읽는다. 각자의 블록에 대해, 메모리 제어기는, 각자의 워드 라인에 관한 제1 트리거 조건을 검출한 것에 응답하여, 복수의 워드 라인들의 각자의 워드 라인에 대응하는 각자의 구성 파라미터 세트 내의 제1 파라미터를 조절하고, 제1 파라미터를 조절한 후에, 각자의 워드 라인에 데이터를 쓰고 각자의 워드 라인으로부터 데이터를 읽는다.